[发明专利]射频滤波器

说明书

本公开提出了一种射频滤波器，该射频滤波器包括：基体、支撑电极和薄膜结构，支撑电极凸设于基体的正表面；薄膜结构间隔支撑电极形成于基体上。支撑电极的顶端的端面与薄膜结构的正表面密封接触。

技术领域

本公开涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种射频滤波器。

背景技术

随着5G技术不断发展，射频滤波器的应用与需求不断升级，对于射频滤波器的性能指标要求不断提高。根据声波的传递方式，射频滤波器通常分为：体声波滤波器和声表面波滤波器。其中，声表面波滤波器一般工作在2.5G频率以下，体声波滤波器工作在1.5G～10G频率。

无论是声表面波滤波器还是体声波滤波器，为了保持良好的射频性能指标，对其工作环境有一定的要求，需要制备一个相对密闭空腔(即保护腔)，用以隔绝外部的水气，颗粒，玷污等对器件的影响。常规做法是先制备一张保护性基体，该基体通常是硅，玻璃，陶瓷，金属外壳等，然后采用圆片级键合，焊接等工艺对滤波器进行隔离保护，再通过一系列复杂的流程加工而成，例如，为实现对体声波(Bulk acoustic wave，简称BAW)滤波器器件的保护腔的制备，可以采用以下一些材料、工艺和设备：1)双抛高阻硅片作为保护性基体；2)采用硅穿孔(TSV)和深孔电极填充技术进行通孔电极加工；3)采用材料金作为圆片键合和电极材料；4)需要价格高昂的圆片键合和具有侧向沉积能力的物理气相沉积设备。

因此，现有的保护性基体的使用，决定了射频滤波器的整个制备工艺流程较长，工艺实现难度较高，同时，以上这些材料、工艺和设备的应用导致BAW器件的单颗制备成本昂贵，直接影响产品规模化应用和市场竞争力。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为解决上述射频滤波器的整个制备工艺流程较长，工艺实现难度较高，同时，现有制备方法中所采用的材料、工艺和设备的应用导致BAW器件的单颗制备成本昂贵等技术问题，本公开提供了一种射频滤波器。

(二)技术方案

本公开提出了一种射频滤波器，包括：基体、支撑电极和薄膜结构，基体，

支撑电极，凸设于基体的正表面；

薄膜结构，间隔支撑电极形成于基体上。

根据本公开的实施例，支撑电极的顶端的端面与薄膜结构的正表面密封接触，支撑电极包括：第一支撑电极、第一种子层、多个第二支撑电极和多个第二种子层，

第一支撑电极相对基体向外凸设于基体的正表面的边缘，同时第一支撑电极围绕基体的正表面的边缘呈一环形封闭结构；

多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极相对基体向外按一定分布凸设于基体的正表面的中部，同时多个第二支撑电极被第一支撑电极围绕在基体的正表面的中部。

根据本公开的实施例，支撑电极还包括：

第一种子层设置于第一支撑电极和基体之间；

多个第二种子层中的每个第二种子层相对设置于多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极与基体之间；

其中，第一种子层和多个第二种子层中的每个第二种子层的材料为钛、钨、金、铜或上述金属之间的组合。

根据本公开的实施例，射频滤波器还包括：保护腔，

保护腔为第一支撑电极、多个第二支撑电极和基体正表面之间的腔体空间；

其中，基体正表面与第一支撑电极顶端的端面之间的间距为j1，基体正表面与多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极顶端的端面之间的间距为j2，10μm≤j1≤40μm，10μm≤j2≤40μm；Δj＝|j1－j2|，Δj≤10μm。

根据本公开的实施例，基体包括：谐振结构和多个下电极层，