[发明专利]射频滤波器

权利要求书

1.一种射频滤波器，其特征在于，包括：

基体，

支撑电极，凸设于所述基体的正表面；

薄膜结构，间隔所述支撑电极形成于所述基体上。

2.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述支撑电极的顶端的端面与所述薄膜结构的正表面密封接触，所述支撑电极包括：

第一支撑电极，所述第一支撑电极相对所述基体向外凸设于所述基体的所述正表面的边缘，同时所述第一支撑电极围绕所述基体的正表面的边缘呈一环形封闭结构；

多个第二支撑电极，所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极相对所述基体向外按一定分布凸设于所述基体的正表面的中部，同时所述多个第二支撑电极被所述第一支撑电极围绕在所述基体的正表面的中部。

3.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述支撑电极还包括：

第一种子层，所述第一种子层设置于所述第一支撑电极和所述基体之间；

多个第二种子层，所述多个第二种子层中的每个第二种子层相对设置于所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极与所述基体之间；

其中，所述第一种子层和所述多个第二种子层中的每个第二种子层的材料为钛、钨、金、铜或上述金属之间的组合。

4.根据权利要求2所述的射频滤波器，其特征在于，所述射频滤波器还包括：

保护腔，所述保护腔为所述第一支撑电极、所述多个第二支撑电极和所述基体正表面之间的腔体空间；

其中，所述基体正表面与所述第一支撑电极顶端的端面之间的间距为j1，所述基体正表面与所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极顶端的端面之间的间距为j2，10μm≤j1≤40μm，10μm≤j2≤40μm；Δj＝|j1－j2|，Δj≤10μm。

5.根据权利要求4所述的射频滤波器，其特征在于，所述基体包括：

谐振结构，所述谐振结构对应于所述保护腔设置于所述基体的正表面，

多个下电极层，所述多个下电极层中的每个下电极层对应于所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极的下表面、内凹于所述基体的正表面，所述下电极层材料为铜、金、钼、铝或上述金属之间的组合；

其中，所述谐振结构至少包括：

压电层，所述压电层对应于所述保护腔设置于所述基体的正表面。

6.根据权利要求5所述的射频滤波器，其特征在于，所述基体还包括：

多个间隔层，所述多个间隔层中的每个间隔层对应于所述多个下电极层中的每个下电极层的下表面、设置于所述多个下电极层中的每个下电极层和基体之间，

其中，所述间隔层的材料为钛、钨、镍、铬或上述金属之间的组合。

7.根据权利要求2所述的射频滤波器，其特征在于，所述薄膜结构包括：

膜层，所述膜层间隔所述支撑电极设置于所述基体上，所述支撑电极的顶端的端面与所述膜层的正表面密封接触，其中，所述膜层的厚度为m，10μm≤m≤60μm；

多个通孔，所述多个通孔中的每个通孔与所述多个第二支撑电极的每个第二支撑电极的顶端的端面的中间位置对应设置、并穿设于所述膜层；

多个引电极，所述多个引电极中的每个引电极与所述多个通孔中的每个通孔对应填充设置，所述多个引电极中的每个引电极的下端与所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极的顶端的端面相接触，所述多个引电极中的每个引电极的上端铺设于所述膜层的背表面，所述多个引电极的每个引电极上端的内表面与所述膜层的背表面相接触，其中，所述多个引电极中的每个引电极的位于所述膜层的背表面的上端的厚度为y，5μm≤m≤40μm；以及

多个背电极，所述多个背电极中的每个背电极与所述多个引电极中的每个引电极相对应设置于所述多个引电极中的每个引电极的上端的外表面上，并对应设置于所述第一支撑电极的正上方，其中，所述背电极的高度为b，30μm≤b≤150μm；

其中，所述膜层的背表面的面积为s1，所述多个引电极中的每个引电极的上端在所述膜层的背表面的分布面积为s2，所述多个引电极数量为n，Δs＝(n×s2)/s1，Δs≥0.2。