[发明专利]一种信号放大电路和有源偏置电路有效
申请号: | 202010061115.7 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN111200407B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 苏强;牛旭;奕江涛 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24;H03F1/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 贾伟;张颖玲 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术产业*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 信号 放大 电路 有源 偏置 | ||
1.一种信号放大电路,其特征在于,包括:有源偏置电路和射频放大电路;
所述有源偏置电路包括第一支路、与所述第一支路并联的第二支路和恒流源,所述第二支路包括运算放大器,所述有源偏置电路通过所述运算放大器输出偏置电压;所述运算放大器的同相输入端与所述恒流源连接,所述运算放大器的反相输入端与所述运算放大器的输出端连接;
所述射频放大电路与所述有源偏置电路连接,用于在所述偏置电压的作用下,实现对输入至所述信号放大电路的输入信号进行放大;所述射频放大电路包括第二晶体管,所述第二晶体管的第一端与所述运算放大器相连;
其中,所述运算放大器包括第一稳压支路和第二稳压支路;
所述第一稳压支路包括第一三极管和第一MOS管;其中,所述第一三极管的基极与所述恒流源连接,所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的漏极和栅极分别连接;
所述第二稳压支路包括第二三极管和第二MOS管;其中,所述第二三极管的基极和集电极分别与所述第二MOS管的漏极连接;
所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接;
所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接。
2.根据权利要求1所述的信号放大电路,其特征在于,所述第一支路包含至少一个晶体管,所述晶体管的集电极分别与恒流源和所述晶体管的基极连接,所述晶体管的发射极接地。
3.根据权利要求1所述的信号放大电路,其特征在于,所述有源偏置电路还包括电阻;
所述电阻的第一端与所述运算放大器的输出端相连,所述电阻的第二端与所述射频放大电路相连;
所述电阻用于调整所述偏置电压的大小。
4.根据权利要求1所述的信号放大电路,其特征在于,所述射频放大电路包括依次连接的射频信号输入电路、射频信号放大电路和射频信号输出电路;
所述射频信号放大电路,用于对所述射频信号输入电路输入的射频信号进行信号放大处理,得到放大信号,并通过所述射频信号输出电路输出所述放大信号。
5.根据权利要求1所述的信号放大电路,其特征在于,所述运算放大器包括第三稳压支路、第四稳压支路和第五稳压支路;
所述第三稳压支路包括第三MOS管和第四MOS管;其中,所述第三MOS管的栅极与恒流源连接,所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极和栅极分别连接;
所述第四稳压支路包括第五MOS管和第六MOS管;其中,所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极连接;
所述第五稳压支路包括第七MOS管;其中,所述第七MOS管的漏极与所述第五MOS管的栅极连接,所述第七MOS管的栅极与所述第四MOS管和所述第六MOS管的漏极分别连接。
6.根据权利要求5所述的信号放大电路,其特征在于,所述第四MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极连接;所述第四MOS管的源极与所述第六MOS管和所述第七MOS管的源极分别连接;
所述第三稳压支路、所述第四稳压支路和所述第五稳压支路集成在同一晶元上。
7.根据权利要求1至6任一项所述的信号放大电路,其特征在于,所述有源偏置电路与所述射频放大电路集成在同一芯片上。
8.一种有源偏置电路,其特征在于,包括:第一支路和与所述第一支路并联的第二支路和恒流源;
所述第二支路中包括运算放大器,所述有源偏置电路通过所述运算放大器至少向射频放大电路输出偏置电压;所述运算放大器的同相输入端与所述恒流源连接,所述运算放大器的反相输入端与所述运算放大器的输出端连接;所述射频放大电路包括第二晶体管,所述第二晶体管的第一端与所述运算放大器相连;
其中,所述运算放大器包括第一稳压支路和第二稳压支路;
所述第一稳压支路包括第一三极管和第一MOS管;所述第一三极管的基极与所述恒流源连接,所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的漏极和栅极分别连接;
所述第二稳压支路包括第二三极管和第二MOS管;其中,所述第二三极管的基极和集电极分别与所述第二MOS管的漏极连接;
所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接;
所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接。
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