[发明专利]一种调节JFET夹断电压的结构及制作方法

说明书

本发明提供一种调节JFET夹断电压的结构及制作方法，P型衬底，位于P型衬底上的N型深阱；位于N型深阱中的P型注入区，该P型注入区将N型深阱隔离为位于P型注入区下方的第一N型深阱和位于P型注入区上方的第二N型深阱；位于第二N型深阱上的第一、第二场氧区，该两个场氧区之间设有P型重掺杂区，P型重掺杂区下方设有N阱。本发明通过调节待夹断区域N型注入来实现夹断电压调节。P型注入区将N型深阱分为上下两部分，P型注入区通过P阱从表面引出接地；栅极端注入N阱，利用P型重掺杂区和P型注入区夹断上部分N阱和N型深阱，通过调节N阱注入宽度可调节JFET夹断电压，实现了JFET夹断电压可调的目的。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种调节JFET夹断电压的结构及制作方法。

背景技术

500V LDMOS既具有分立器件高压大电流特点，又汲取了低压集成电路高密度智能逻辑控制的优点，单芯片实现原来多个芯片才能完成的功能，大大缩小了面积，降低了成本，提高了能效，符合现代电力电子器件小型化，智能化，低能耗的发展方向。搭载在该平台上的500V JFET作为驱动电路的重要器件，其夹断电压是衡量500V JFET特性的关键参数。

如图1所示，图1显示为现有技术中的JFET结构示意图，目前搭载在平台上的JFET，利用4-PW(P阱)、5-PTOP(P型注入)和1-Psub(P型衬底)夹断2-DNW(N型深阱)，夹断电压在12V以上。

因此，需要提出一种新的调节JFET夹断电压的结构及方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种调节JFET夹断电压的结构及方法，用于解决现有技术中JFET夹断电压高且不可调的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种调节JFET夹断电压的结构，该结构至少包括：P型衬底，位于所述P型衬底上的N型深阱；位于所述N型深阱中的P型注入区，该P型注入区将所述N型深阱隔离为位于所述P型注入区下方的第一N型深阱和位于所述P型注入区上方的第二N型深阱；位于所述第二N型深阱上的第一、第二场氧区，该两个场氧区之间设有P型重掺杂区，所述P型重掺杂区下方设有N阱。

优选地，位于所述第一场氧区左侧的第三场氧区和位于所述第二场氧区右侧的第四场氧区；所述第三、第一场氧区之间设有N型重掺杂区；所述第二、第四场氧区之间设有N型重掺杂区。

优选地，所述第三场氧区左侧的所述P型衬底上以及所述第四场氧区右侧的P型衬底上分别设有将所述P型注入区引出的P阱。

优选地，所述第三、第一场氧区之间的N型重掺杂区、所述第二、第四场氧区之间的N型重掺杂区以及所述第一、第二场氧区之间的P型重掺杂区上均设有接触孔。

优选地，所述接触孔上设有与所述接触孔连接的金属线。

本发明还提供一种调节JFET夹断电压的结构的制作方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供一P型衬底，在所述P型衬底上形成N型深阱；

步骤二、在所述N型深阱上形成第一、第二场氧区；

步骤三、在所述第三场氧区左侧的所述P型衬底上、所述第四场氧区右侧的P型衬底上形成P阱；在所述第一、第二场氧区之间的所述N型深阱上形成N阱；

步骤四、在所述第一至第四场氧区下方的所述N型深阱中形成P型注入区，该P型注入区将所述N型深阱隔离为位于所述P型注入区下方的第一N型深阱和位于所述P型注入区上方的第二N型深阱；

步骤五、在所述第一、第三场氧区之间的所述第二N型深阱中以及所述第二、第四场氧区之间的所述第二N型深阱中分别形成N型重掺杂区；在所述第一、第二场氧区之间的所述第二N型深阱中形成P型重掺杂区。