[发明专利]一种制备大面积Cu(100)单晶铜箔的方法在审
| 申请号： | 202010056976.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111188085A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈建毅;刘友星;刘明辉;白一超;王鑫玉;商圣从;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C30B29/64;C23G1/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 cu 100 铜箔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备大面积Cu(100)单晶铜箔的方法，包括：
将多晶铜箔于酸溶液中浸泡后，超声清洗，干燥，于氢气气氛中进行常压退火，得到所述Cu(100)单晶铜箔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述酸溶液选自盐酸、硫酸和硝酸中至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述酸溶液的体积百分浓度为1％-30％。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述浸泡步骤中，时间为10-100min。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述多晶铜箔的厚度为10μm-100μm。
6.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于：所述超声清洗在去离子水中进行；
所述超声清洗步骤中，时间为10min-50min；
频率为50HZ-100HZ。
7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于：所述干燥为吹干；具体为用惰性气体吹干；
所述惰性气体具体选自氮气和氩气中至少一种。
8.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于：所述退火步骤中，温度为900℃-1200℃；
由室温升至退火温度的时间为30-90min；
退火时间为30min-200min；
所述氢气的流量为20sccm-500sccm；
由退火温度降至室温的方式为自然降温。
9.权利要求1-8任一所述方法制备得到的大面积Cu(100)单晶铜箔。
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