[发明专利]一种沉积纳米材料方法在审
| 申请号： | 202010054858.1 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111235568A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 侯中宇;蒋涛 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 纳米 材料 方法 | ||
1.一种沉积纳米材料方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)待沉积金属材料制成管材；
(2)待沉积纳米材料与工艺溶剂混合制成工艺液体；
(3)所述工艺液体充入所述管材中；
(4)所述管材的电爆段的一端与高压电源的输出端相连，另一端接地；
(5)待沉积基材设置在所述管材附近；
(6)启动所述高压电源给所述管材的电爆段通电。
2.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述管材外部可沉积其他材料。
3.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述工艺溶剂是1％的氢氧化钠水溶液。
4.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述工艺溶剂是过氧化氢。
5.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述步骤(5)中的所述待沉积基材是金属材料，所述金属材料接地。
6.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述步骤(5)中的所述待沉积基材是非金属材料，所述非金属材料背向所述管材的一侧设置辅助接地电极。
7.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述高压电源的电压与所述管材和所述待沉积基材之间的距离，形成电场。
8.如权利要求7所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述电场的强度大于3*105V/m。
9.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述管材所处的环境是气体或真空。
10.如权利要求1所述的沉积纳米材料方法，其特征在于，所述管材所处的环境是液体或等离子体。
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