[发明专利]一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法

说明书

本发明涉及ITO薄膜领域，具体涉及一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法。包括基体玻璃与ITO‑Ag复合膜，所述ITO‑Ag复合膜分别镀于所述基体玻璃的两侧，且每侧ITO‑Ag复合膜均至少镀制一层。本发明一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法包括：S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO‑Ag复合膜；S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。本发明采用技术成熟的制备工艺，其可靠性高、可批量生产，可任意裁切，非常适用于ITO薄膜在电磁屏蔽领域的应用。

技术领域

本发明涉及ITO薄膜领域，具体涉及一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法。

背景技术

综合显示控制系统是作战系统最主要的人机接口，包含有主调度显示器、多功能显示器等，承担了雷达数字显示、通信导航识别、红外搜索跟踪、数字地图、战场态势、图像显示控制等复杂任务，显示区域更大、更直观，实时响应精准感知的交互式人机接口对电磁干扰更加敏感。而光电探测系统融合了红外和合成孔径雷达图像，有极高的灵敏度、目标识别、红外搜索与跟踪能力，在光谱信息的获取和传输过程中极易受到外界的电磁干扰而出现严重错误。电磁波段的屏蔽主要采用传输线理论，利用薄膜材料的导电性能，可很好地实现电磁波段的屏蔽，传统ITO作为连续导电氧化物，具备优异的透光性能及导电性能，在广泛应用于电磁屏蔽领域。

但随着高功率微波武器、核脉冲武器等功率的增大，提出了对透明电磁防护材料更强的超宽带电磁防护和超高透光多功能兼容的超宽谱透明电磁防护材料的长期而急迫需求。传统ITO薄膜材料因屏蔽效能低（～25dB）,无法满足光电窗口屏蔽效能的需求。

因此有必要提出一种新的ITO薄膜屏蔽玻璃的制备工艺。

发明内容

为了解决上述不足，本发明提供了一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法，主要通过制备一层ITO-Ag复合薄膜，增加电磁波的吸收损耗，从而使镀膜玻璃的电磁屏蔽效能得到明显提高。本发明采用的技术方案如下：

一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，包括基体玻璃与ITO-Ag复合膜，所述ITO-Ag复合膜分别镀于所述基体玻璃的两侧，且每侧ITO-Ag复合膜均至少镀制一层。

优选地，所述玻璃基材可以为浮法玻璃、K9玻璃与石英玻璃中的任意一种。

一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：

S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；

S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；

S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO-Ag复合膜；

S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；

S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。

所述S1中，浮法玻璃的厚度为3.0mm，长度范围为50mm～500mm，宽度范围为50mm～400mm。

所述S2中，ITO靶材的纯度为99.99%，长度范围为50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。

所述S2中，Ag靶材的纯度为99.999%，长度范围在50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。

所述S3中，磁控溅射沉积温度设置在60℃，为保证膜层的均匀性及沉积的效率，溅射功率设置为1.5KW，通入的氧气为0.6sccm，小车速率60mm/min。

所述S3中，在浮法玻璃两侧连续周期制备ITO-Ag复合膜，总厚度控制小于400nm。