[发明专利]一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，其特征在于：包括基体玻璃（1）与ITO-Ag复合膜（2），所述ITO-Ag复合膜（2）分别镀于所述基体玻璃（1）的两侧，且每侧ITO-Ag复合膜（2）均至少镀制一层。

2.一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基材（1）可以为浮法玻璃、K9玻璃与石英玻璃中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；

S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；

S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO-Ag复合膜；

S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；

S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。

4.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S1中，浮法玻璃的厚度为3.0mm，长度范围为50mm～500mm，宽度范围为50mm～400mm。

5.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S2中，ITO靶材的纯度为99.99%，长度范围为50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。

6.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S2中，Ag靶材的纯度为99.999%，长度范围在50mm～610mm，宽度范围为50mm～128mm。

7.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S3中，磁控溅射沉积温度设置在60℃，为保证膜层的均匀性及沉积的效率，溅射功率设置为1.5KW，通入的氧气为0.6sccm，小车速率60mm/min。

8.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法：所述S3中，在浮法玻璃两侧连续周期制备ITO-Ag复合膜，总厚度控制小于400nm。

9.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S4中，退火温度设置在300℃，退火时间设置在0.5h。

10.根据权利要求3所述的一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述S5的具体步骤为：采用异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切，再打磨清洗，尺寸精度精确到0.1mm，工艺要求无毛刺，无裂口。