[发明专利]基于胺化合物添加CsPbBr3 有效
申请号: | 202010051409.1 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111146300B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 贺本林;朱景伟;巩泽坤 | 申请(专利权)人: | 中国海洋大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
地址: | 266101 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 化合物 添加 cspbbr base sub | ||
1.基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、配制所需的各种溶液:浓度为0.1~1mol/L的钛酸异丙酯乙醇溶液,浓度为0.05~0.1g/mL的二氧化钛浆料,浓度为0.01~0.05mol/L的四氯化钛水溶液,添加摩尔比例为0.5~5%的胺化合物的浓度为1~2mol/L溴化铅DMF溶液,浓度为0.05~0.1mo/L的溴化铯甲醇溶液;
所述摩尔比例为溴化铅DMF溶液中胺化合物与铅离子的摩尔比例,待DMF溶液中的溴化铅完全溶解之后再添加胺化合物溶解制备溶液,所述添加的胺化合物为氰胺,二聚氰胺,三聚氰胺,乙醇胺,二乙醇胺,三乙醇胺,十二至十九胺等;
(2)、将上述配制好的钛酸异丙酯的乙醇溶液以7000转/分的速度在已刻蚀且清洗干净的FTO基底上旋涂30秒,然后高温煅烧制得致密二氧化钛层;
(3)、将上述配制好的二氧化钛浆料以2000转/分的速度在步骤(2)中得到的致密二氧化钛层上旋涂30秒,然后高温煅烧制得二氧化钛薄膜;
(4)、将步骤(3)制得的二氧化钛薄膜浸泡在上述配制好的四氯化钛溶液中,经水浴加热浸泡后,依次用水、无水乙醇清洗干净,然后高温煅烧制得介孔二氧化钛薄膜;
(5)、将上述配制的添加不同比例胺化合物的溴化铅DMF溶液旋涂在步骤(4)制备的薄膜表面,然后加热;
(6)、将上述配制的溴化铯甲醇溶液旋涂在步骤(5)中制备的溴化铅薄膜表面,高温加热,并多次重复此步骤,制备得到高质量的CsPbBr3钙钛矿吸光层;
(7)、在步骤(6)制备的CsPbBr3钙钛矿吸光层表面刮涂碳浆料,组装成基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中在马弗炉中400~500度下煅烧制备介孔二氧化钛薄膜。
3.根据权利要求1所述的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中60-80度水浴加热20~40分钟,在马弗炉中400~500度下煅烧制备介孔二氧化钛薄膜。
4.根据权利要求1所述的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中旋涂添加不同比例胺化合物的溴化铅DMF溶液的具体条件为转速2500转/分,时间30秒。
5.根据权利要求1所述的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)中溴化铯的旋涂次数为6~8次,转速2500转/分,时间30秒。
6.权利要求1~5任一项所述的制备方法制得的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述CsPbBr3无机钙钛矿太阳能电池的开路电压为1.4~1.6V、短路电流为5.8~7.5mA·cm-2、填充因子为0.68~0.80、光电转换效率为6~10%。
8.权利要求6所述的基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池在作为电池组件中的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的