[发明专利]一种新型电子封装高硅铝合金及其制备方法

权利要求书

1.一种新型电子封装高硅铝合金，其特征在于，按质量百分比计，高硅铝合金的成分为：Sc 0.1～0.5%、Si 15～40%、Mg 0.25～0.45%、Mo 0～1%、其余为Al。

2.根据权利要求所述的新型电子封装高硅铝合金，其特征在于，按质量百分比计，高硅铝合金的成分为：Sc 0.1～0.5%、Si 15～40%、Mg 0.25～0.45%、Mo 0.1～1%、其余为Al。

3.一种新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，按质量百分比计，高硅铝合金的成分为：Sc 0.1～3%、Si 15～40%、Mg 0.25～0.45%、Mo 0～1%、其余为Al；新型电子封装高硅铝合金的制备方法包括如下步骤：

S1：熔炼，850～900℃下熔化纯铝及纯硅，待完全熔化后按配比加入纯镁、纯钼和铝钪中间合金，形成混合熔体；向熔体中加入精炼剂除渣；

S2：浇注，将合金熔体浇入预热模具中凝固成型。

4.根据权利要求3所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，所述预热模具的温度为200～250℃。

5.根据权利要求3或4所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，还包括对S2所得成型铸件的固溶和时效热处理。

6.根据权利要求5所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，所述固溶热处理的工艺参数为：温度为520～560℃，时间为10～24h。

7.根据权利要求5所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，所述时效热处理的工艺参数为：温度为150～180℃，时间为4～8h。

8.根据权利要求5所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，还包括热处理后成型件的激光表面处理。

9.根据权利要求8所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，所述激光表面处理的工艺参数为：激光脉宽为5～30 ns，脉冲能量1～100 J，重复频率1Hz。

10.根据权利要求3所述的新型电子封装高硅铝合金的制备方法，其特征在于，所述铝钪中间合金中的钪平均质量分数为3%。