[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

一栅极，该栅极的表面设置一绝缘层；

一源极及一漏极间隔设置于所述绝缘层的表面并与所述栅极绝缘设置；

一根碳纳米管设置于所述绝缘层上方，所述碳纳米管具有相对的第一端和第二端以及位于第一端和第二端之间的中间部，所述碳纳米管的第一端与所述源极接触电连接，所述碳纳米管的第二端与所述漏极接触电连接，通过在所述碳纳米管的两端施加电压、采用激光或电磁波照射所述碳纳米管的中间部或者采用等离子体刻蚀所述碳纳米管的中间部使所述碳纳米管的中间部变细，形成一个中间带隙大，两边带隙小的结构。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管或双壁碳纳米管。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管的中间部形成有碳原子七元环或八元环。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管的第一端设置于所述源极的表面，所述碳纳米管的第二端设置于所述漏极的表面，该碳纳米管通过所述源极和所述漏极悬空设置于所述绝缘层的上方。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管贴合设置于所述绝缘层的表面，所述源极设置于所述碳纳米管的第一端，所述漏极设置于所述碳纳米管的第二端。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘层具有一通孔或盲孔。

7.如权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极分别设置于所述通孔或盲孔的两侧，所述碳纳米管在所述通孔或盲孔的上方悬空设置。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘层包括一第一绝缘层和一第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层间隔设置于所述栅极的表面。

9.如权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极设置于所述第一绝缘层的表面，所述漏极设置于所述第二绝缘层的表面，所述碳纳米管在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的上方悬空设置。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管为由一双壁碳纳米管或多壁碳纳米管去掉外壁而获得。