[发明专利]用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备

说明书

本发明公开了一种用于LTE‑SIM卡的加热装置及LTE设备，该加热装置包括：温度监测模块，被配置为能够监测SIM卡的环境温度，并在环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；加热控制电路，被配置为能够在收到触发信号时，将加热电路接通电源；加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热SIM卡的环境温度。根据本发明的用于LTE‑SIM卡的加热装置及LTE设备，能够通过环境温度侦测和适当的加热控制使得设备的SIM卡始终保持在适宜的工作环境中，有助于保证SIM卡工作及整个设备的高可靠性，同时具有电路简单、可靠且成本低廉。

技术领域

本发明涉及一种用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备。

背景技术

随着信息技术快速发展和应用需求的多样化，在商用领域对于无线上网的需求越来越高，对其可靠性及低成本的追求也是与日俱增，在高寒地区有时会出现LTE-SIM卡的注册失效问题。

因此，亟需设计一种新的能够兼顾成本与高可靠性的可有效在低温环境下对SIM卡进行必要的加热的新设计。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有的LTE设备中的SIM卡在过低温度的环境下可能失效，因而影响到设备可靠性的缺陷，提出一种新的用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备。

本发明是通过采用下述技术方案来解决上述技术问题的：

本发明提供了一种用于LTE-SIM卡的加热装置，其特点在于，所述加热装置包括：

温度监测模块，被配置为能够监测所述SIM卡的环境温度，并在所述环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；

所述加热控制电路，被配置为能够在收到所述触发信号时，将加热电路接通电源；

所述加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热所述SIM卡的环境温度。

根据本发明的一些实施方式，所述加热控制电路包括三极管和MOS管，所述MOS管被配置为能够通过自身导通与否控制所述加热电路接通及断开电源；

所述三极管被配置为能够经由在接收到所述触发信号时切换至导通状态，以及能够通过自身导通与否控制所述MOS管的导通与否。

根据本发明的一些实施方式，所述三极管的基极被配置为能够接收所述触发信号，所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极和漏极分别连接电源正极和所述加热电路的一端，所述加热电路的另一端接地。

根据本发明的一些实施方式，所述加热装置还包括微处理器，所述温度监测模块被配置为在监测到的所述环境温度低于所述低温阈值时，指令所述微处理器向所述三极管的基极发出所述触发信号。

根据本发明的一些实施方式，所述三极管采用MMBT3904型号的三极管，所述MOS管采用PPMT30V4型号的P沟道MOS管。

根据本发明的一些实施方式，所述微处理器电连接至所述三极管的基极，所述触发信号为高电平信号。

根据本发明的一些实施方式，所述加热电路设有多个加热电阻，所述加热电阻贴设于所述SIM卡的四周和/或背部附近。

根据本发明的一些实施方式，所述温度监测模块采用TMP75AIDG4型号的温度侦测芯片，所述温度侦测芯片布置于所述SIM卡的一侧。

根据本发明的一些实施方式，所述温度监测模块还被配置为能够在所述环境温度达到所述低温阈值时，向加热控制电路发出关断信号；

所述加热控制电路被配置为能够在收到所述关断信号时使得所述加热电路断开电源。

本发明还提供了一种LTE设备，其包括SIM卡，其还包括如上所述的用于LTE-SIM卡的加热装置。