[发明专利]用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备

权利要求书

1.一种用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括：

温度监测模块，被配置为能够监测所述SIM卡的环境温度，并在所述环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；

所述加热控制电路，被配置为能够在收到所述触发信号时，将加热电路接通电源；

所述加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热所述SIM卡的环境温度。

2.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热控制电路包括三极管和MOS管，所述MOS管被配置为能够通过自身导通与否控制所述加热电路接通及断开电源；

所述三极管被配置为能够经由在接收到所述触发信号时切换至导通状态，以及能够通过自身导通与否控制所述MOS管的导通与否。

3.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述三极管的基极被配置为能够接收所述触发信号，所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极和漏极分别连接电源正极和所述加热电路的一端，所述加热电路的另一端接地。

4.如权利要求3所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括微处理器，所述温度监测模块被配置为在监测到的所述环境温度低于所述低温阈值时，指令所述微处理器向所述三极管的基极发出所述触发信号。

5.如权利要求4所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述三极管采用MMBT3904型号的三极管，所述MOS管采用PPMT30V4型号的P沟道MOS管。

6.如权利要求4所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述微处理器电连接至所述三极管的基极，所述触发信号为高电平信号。

7.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热电路设有多个加热电阻，所述加热电阻贴设于所述SIM卡的四周和/或背部附近。

8.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述温度监测模块采用TMP75AIDG4型号的温度侦测芯片，所述温度侦测芯片布置于所述SIM卡的一侧。

9.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述温度监测模块还被配置为能够在所述环境温度达到所述低温阈值时，向加热控制电路发出关断信号；

所述加热控制电路被配置为能够在收到所述关断信号时使得所述加热电路断开电源。

10.一种LTE设备，其包括SIM卡，其特征在于，所述LTE设备还包括如权利要求1-9中任意一项所述的用于LTE-SIM卡的加热装置。