[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010040726.3 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111463348A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 五十岚武司 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
金属绝缘体金属(MIM)电容器，所述金属绝缘体金属电容器被配置成包括在下电极和上电极之间的介电层；以及
浮动电极，所述浮动电极被设置在所述介电层中，平行于所述上电极和所述下电极地延伸，并且不与所述下电极和所述上电极中的任意一个电极电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述浮动电极与所述下电极之间的距离小于所述浮动电极与所述上电极之间的距离。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述浮动电极与所述下电极之间的所述距离为所述介电层的厚度的1/10或者更少。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体器件，
其中，所述下电极的与所述介电层接触的表面由金制成，以及
其中，所述介电层被形成为包括氮化硅膜。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体器件，其中，
当从所述MIM电容器的叠层方向观察时，所述介电层的区域包括所述下电极的区域。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体器件，其中，
所述浮动电极由不含金的材料制成。
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