[发明专利]一种非隔离型高增益单相逆变器及其控制方法

权利要求书

1.一种非隔离型高增益单相逆变器，其特征在于，包括：第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和负载电阻；

所述第一电感的输出端分别连接所述第二开关管的集电极和所述第二电容的第二端；

所述第二电感的输出端分别连接所述第三开关管的发射极和所述第二电容的第一端；

所述第三电感的输出端分别连接所述第四电容的第一端和所述负载电阻的第一端；

所述第一开关管的集电极连接直流电源的正端相；所述第四电感的输入端分别连接所述第一开关管的发射极和所述第三电容的第一端；

所述第一电容的第二端分别连接所述第一电感的输入端和所述第三开关管的集电极；

所述第三电容的第二端分别连接所述第一电容的第一端、所述第二电感的输入端以及所述第三电感的输入端；

所述直流电源的负端、所述第一电感的输出端、所述第二开关管的发射极、所述第四电容的第二端和所述负载电阻的第二端连接在同一导线上，所述导线接地。

2.根据权利要求1所述的非隔离型高增益单相逆变器，其特征在于，所述第一开关管的基极输入第一开关驱动信号；所述第二开关管的基极输入第二开关驱动信号；所述第三开关管的基极输入第三开关驱动信号。

3.根据权利要求1或2所述的非隔离型高增益单相逆变器，其特征在于，

所述第一开关管的占空比D₁＝k/(1+k)，其中，k为非隔离型高增益单相逆变器的最大增益系数；

所述第二开关管的占空比其中k为非隔离型高增益单相逆变器的最大增益系数，A为非隔离型高增益单相逆变器的峰值电压增益，sinωt为输出正弦波形的表达式，t为时间，ω为角速度；

所述第三开关管的占空比为D₃＝2-D₁-D₂。

4.根据权利要求1所述的非隔离型高增益单相逆变器，其特征在于，所述的第一电感、第二电感、第三电感、第四电感相互耦合。

5.根据权利要求1所述的非隔离型高增益单相逆变器，其特征在于，所述是我第一开关管、第二开关管以及第三开关管均为全控型器件。

6.根据权利要求1所述的非隔离型高增益单相逆变器，其特征在于，所述的非隔离型高增益单相逆变器包括三种工作模式，分别为：

第一工作模式：所述第一开关管驱动信号和第三开关管驱动信号为高电平，所述第二开关管驱动信号为低电平，所述第一开关管和第三开关管导通，所述第二开关管关断；

第二工作模式：所述第一开关管驱动信号和第二开关管驱动信号为高电平，所述第三开关管驱动信号为低电平，所述第一开关管和第二开关管导通，所述第三开关管关断；

第三工作模式：所述第二开关管驱动信号和第三开关管驱动信号为高电平，所述第一开关管驱动信号为低电平，所述第二开关管和第三开关管导通，所述第一开关管关断。