[发明专利]一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备有效
申请号: | 202010030783.3 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111200724B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H04N9/04 | 分类号: | H04N9/04;H04N5/369;H01L27/146 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 贾伟;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏振 cis 图像 处理 方法 存储 介质 终端设备 | ||
本申请实施例公开了一种偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备,该偏振式CIS包括在多个预设方向排布多组偏振光电二极管部件的一组像素单元,每一个像素单元包括第一层像素结构和第二层像素结构,且第一层像素结构位于第二层像素结构之上;其中,第一层像素结构包括在第一预设方向排布第一组偏振光电二极管部件,第二层像素结构包括在第二预设方向排布第二组偏振光电二极管部件,所述第一预设方向与所述第二预设方向正交,所述第一组偏振光电二极管部件与所述第二组偏振光电二极管部件的尺寸相同且所述第一组偏振光电二极管部件的排布方向垂直于所述第二组偏振光电二极管部件的排布方向。
技术领域
本申请涉及图像处理技术领域,尤其涉及一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备。
背景技术
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)具有集成度高、功耗小、速度快和成本低等特点,在高分辨率像素产品方面应用广泛。其中,CIS包括有单色偏振和彩色偏振这两种形式,而彩色偏振由于获取到的色彩更加丰富,使得彩色偏振相较单色偏振而言,生成的图像色彩更加鲜艳。
现有的偏振式CIS的结构主要包括微透镜阵列、偏振器阵列和像素阵列。这里,每个像素包括有光电二极管(Photo Diode,PD)结构,而在PD结构上放置了四个不同角度的偏振片,将每四个像素作为一个计算单元,通过不同方向偏振器之间的关联计算偏振程度和偏振方向,进而根据偏振程度和偏振方向得到偏振图像。
然而,现有的偏振式CIS中,每一个像素单元只能获得一种颜色的偏振光,从而造成了能量浪费。
发明内容
本申请实施例提出一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备,利用双层叠层像素结构,可以提高像素偏振信息的利用率。
本申请实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种偏振式CIS,该偏振式CIS包括在多个预设方向排布多组偏振光电二极管部件的一组像素单元,所述一组像素单元中的每一个像素单元包括第一层像素结构和第二层像素结构,且所述第一层像素结构位于所述第二层像素结构之上;
其中,所述第一层像素结构包括在第一预设方向排布第一组偏振光电二极管部件,所述第二层像素结构包括在第二预设方向排布第二组偏振光电二极管部件,所述第一预设方向与所述第二预设方向正交,所述第一组偏振光电二极管部件与所述第二组偏振光电二极管部件的尺寸相同且所述第一组偏振光电二极管部件的排布方向垂直于所述第二组偏振光电二极管部件的排布方向。
第二方面,本申请实施例提供了一种图像处理方法,应用于如第一方面所述的偏振式CIS,该方法包括:
将入射光转换为预设波长在多个预设方向的偏振光;
对所述预设波长在多个预设方向的偏振光进行光吸收以及光电转换,得到所述预设波长在多个预设方向对应的电信号;
读出所述预设波长在多个预设方向对应的电信号。
第三方面,本申请实施例提供了一种计算机存储介质,该计算机存储介质存储有图像处理程序,图像处理程序被至少一个处理器执行时实现如第二方面所述的方法。
第四方面,本申请实施例提供了一种终端设备,该终端设备至少包括如第一方面所述的偏振式CIS。
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