[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010030640.2 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111435209A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 李润锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一导体;
第一绝缘层,覆盖所述第一导体;以及
第一半导体层和第二导体,两者在所述第一绝缘层上,
其中,所述第一导体包括栅极线、连接到所述栅极线的栅电极以及与所述栅极线分离的存储线,
其中,所述第一半导体层包括与所述栅电极叠置的沟道区和与所述存储线叠置的第一抗反射图案,并且
其中,所述第二导体包括数据线、至少部分在所述沟道区上并连接到所述数据线的源电极以及至少部分在所述沟道区上并与所述源电极分离的漏电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二绝缘层,在所述第一半导体层和所述第二导体上;以及
第三导体,在所述第二绝缘层上,
其中,所述第三导体包括像素电极,并且所述像素电极通过穿透所述第二绝缘层的接触孔连接到所述漏电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置,
其中,所述第一抗反射图案与所述像素电极的一部分叠置。
4.根据权利要求2所述的显示装置,
其中,所述栅极线与所述像素电极交叉。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第一半导体层还包括与所述栅极线叠置的第二抗反射图案。
6.根据权利要求5所述的显示装置,
其中,所述第二抗反射图案与所述数据线叠置。
7.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二半导体层,在所述第二导体上,
其中,所述第二半导体层包括与所述数据线叠置的第三抗反射图案。
8.根据权利要求7所述的显示装置,
其中,相对于所述数据线的宽度,所述第三抗反射图案的宽度在±2μm的范围内。
9.根据权利要求7所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第三绝缘层,在所述第三导体和所述第二半导体层之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述存储线包括:
存储电极图案,与所述第一抗反射图案叠置;以及
存储线突起,不与所述第一抗反射图案叠置,
其中,所述存储线突起与所述漏电极叠置。
11.根据权利要求10所述的显示装置,
其中,所述存储电极图案具有9μm至13.5μm的宽度。
12.根据权利要求10所述的显示装置,
其中,相对于所述存储电极图案的宽度,所述第一抗反射图案的宽度在±2μm中的范围内。
13.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第一抗反射图案具有至的厚度。
14.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第一导体还包括连接到所述栅电极的修复线。
15.根据权利要求14所述的显示装置,
其中,所述第一半导体层还包括与所述修复线叠置的第四抗反射图案。
16.根据权利要求15所述的显示装置,
其中,所述第四抗反射图案与所述数据线叠置。
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