[发明专利]一种混合集成光电芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种混合集成光电芯片，其特征在于，包括：

第一光电芯片，所述第一光电芯片包括至少一个第一波导；

硅光芯片，所述硅光芯片包括至少一个第二波导和安装凹槽；所述第一光电芯片与所述硅光芯片的材料不同；

所述第一光电芯片安装于所述安装凹槽内，所述第一波导与对应的所述第二波导光连接。

2.根据权利要求1所述的混合集成光电芯片，其特征在于：

所述第一光电芯片上设有第一定位结构，所述硅光芯片上设有第二定位结构，所述第一定位结构与所述第二定位结构相配合以限定所述第一光电芯片相对于所述硅光芯片的位置。

3.根据权利要求2所述的混合集成光电芯片，其特征在于：

所述第一定位结构包括至少一个定位条，所述第二定位结构包括与所述定位条相匹配的定位槽。

4.根据权利要求3所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述定位条位于所述第一光电芯片的上表面，所述定位槽位于所述硅光芯片的上表面；所述定位条设于所述定位槽内使所述第一光电芯片的第一波导与所述硅光芯片的第二波导对齐。

5.根据权利要求4所述的混合集成光电芯片，其特征在于：

所述第二波导与所述第一波导相对接的位置设有将第二波导和第一波导相光耦合的模斑转换器。

6.根据权利要求1-5任一项所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述第一光电芯片与所述安装凹槽的槽底或槽壁之间设有胶层，所述胶层用于将所述第一光电芯片粘结在所述安装凹槽内。

7.根据权利要求1-4任一项所述的混合集成光电芯片，其特征在于：

所述第二波导与所述第一波导之间通过光子引线键合实现光连接。

8.根据权利要求1所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述第一光电芯片上设有至少一个第一电极，所述硅光芯片上设有至少一个第二电极，所述第一电极与所述第二电极相电性连接。

9.根据权利要求8所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述第一光电芯片包括光调制器。

10.根据权利要求9所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述光调制器为铌酸锂薄膜光调制器。

11.根据权利要求10所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述硅光芯片上设有光无源器件和/或有源器件。

12.一种混合集成光电芯片，其特征在于：包括：

第一光电芯片，所述第一光电芯片包括至少一个第一波导；

硅光芯片，所述硅光芯片包括至少一个第二波导和安装凹槽；

所述第一光电芯片上设有第一定位结构，所述硅光芯片上设有第二定位结构；所述第一光电芯片安装于所述安装凹槽内，所述第一定位结构与所述第二定位结构配合以限定所述第一光电芯片的位置，使所述第一波导与所述第二波导对齐。

13.根据权利要求12所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述第一定位结构包括至少一个定位条，所述第二定位结构包括与所述定位条相匹配的定位槽；所述定位条固定于所述定位槽内。

14.根据权利要求12所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述第一光电芯片与所述安装凹槽的槽底或槽壁之间设有胶层，将所述第一光电芯片粘结在所述安装凹槽内。

15.根据权利要求12-14任一项所述的混合集成光电芯片，其特征在于：所述第一光电芯片上设有至少一个第一电极，所述硅光芯片上设有至少一个第二电极，所述第一电极与所述第二电极电性连接。