[发明专利]一种无需片外电容的LDO电路

权利要求书

1.一种无需片外电容的LDO电路，其特征在于,包括:负反馈环路和由N个电流源I₀和N个NMOS管MN6组成的多个电流源支路，N为大于等于1的整数；其中，负反馈环路由运算放大器、电容C2、NMOS管MN5、电阻R3、电阻R4构成，运算放大器输出端分别连接电容C2的一端和NMOS管MN5的栅极，NMOS管MN5的源极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端分别连接电阻R4的一端和运算放大器的负向输入端，电阻R4的另一端连接电容C2的另一端，并同时接地，NMOS管MN5的栅极连接N个NMOS管MN6的栅极，NMOS管MN5的漏极连接N个NMOS管MN6的漏极，每个NMOS管MN6的源极分别连接电流源I₀后接地。

2.如权利要求1所述的无需片外电容的LDO电路，其特征在于：所述负反馈环路的输出电压VL为：

其中，VREF是运算放大器的参考电压，R3、R4为电阻R3、R4的电阻值。

3.如权利要求1所述的无需片外电容的LDO电路，其特征在于：在所述N个电流源支路中，满足：

其中，VREF是运算放大器的参考电压，W/L是MOS管的沟道宽W和沟道长L的比值，简称宽长比，I₀[N]是每一电流源支路输出电流，I_R4是电阻R4两端电流。

4.如权利要求1所述的无需片外电容的LDO电路，其特征在于：所述LDO电路还包括NMOS管MN4、电阻R1和电容C1，电阻R1、电容C1构成低通滤波；其中，所述运算放大器由PMOS管MP1、PMOS管MP1A、PMOS管MP2、PMOS管MP2A、电阻R2、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3构成，电流源I₀为NMOS管MN7[1]～NMOS管MN7[N]，PMOS管MP1、PMOS管MP1A、PMOS管MP2、PMOS管MP2A、电阻R2构成一组电流镜，NMOS管MN7[1]～NMOS管MN7[N]与NMOS管MN4构成一组电流镜，PMOS管MP1的源极连接PMOS管MP2的源极，PMOS管MP1的栅极连接PMOS管MP2的栅极，PMOS管MP1的漏极连接PMOS管MP1A的源极，PMOS管MP1A的栅极连接PMOS管MP2A的栅极，PMOS管MP1A的漏极连接电阻R2的一端，PMOS管MP2的漏极连接PMOS管MP2A的源极，PMOS管MP2A的漏极连接NMOS管MN2的漏极，电阻R2的另一端连接NMOS管MN1的漏极，NMOS管MN1的源极分别连接NMOS管MN2的源极和NMOS管MN3的漏极，NMOS管MN2的栅极同时连接电阻R3和电阻R4，NMOS管MN3的栅极连接NMOS管MN4的栅极，NMOS管MN1的栅极分别连接电阻R1和电容C1的一端，电阻R1的另一端连接运算放大器的参考电压VREF，电容C1的另一端分别连接NMOS管MN3的源极和NMOS管MN4的源极，NMOS管MN4的漏极连接偏置电流IB，每个NMOS管MN6的源极分别连接NMOS管MN7[1]～NMOS管MN7[N]的漏极，NMOS管MN7[1]～NMOS管MN7[N]的源极分别接地。

5.如权利要求1所述的无需片外电容的LDO电路，其特征在于：所述N个电流源I₀还可以替换为N个电阻。