[发明专利]一种通过离子注入调节光学元件光学性能的方法在审
| 申请号： | 202010005326.9 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111180302A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 崔云;张晗宇;赵元安;易葵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 离子 注入 调节 光学 元件 性能 方法 | ||
1.一种离子注入调节光学元件光学性能的方法，步骤包括：
(1)通过计算模拟离子注入基底表面的深度与离子能量、入射角度的关系，模拟入射离子在基底中的分布，模拟离子种类和剂量对光谱调节范围和幅度的影响；
(2)根据所需调节光谱的波段和幅度，依照模拟计算结果，确定离子注入种类、能量、注入角度、注入剂量；
(3)将基底置于离子注入机内，注入确定能量和剂量的离子。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的材质包含氧化铝、氧化硅、铝酸镁尖晶石、氮氧化铝(AlON)等。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入基底表面的离子为C、Ti、Ni、Zn、Fe、Ag、Cu、Cr中任意一种或组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基底表面注入的离子的深度在几十纳米到几百纳米范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，离子注入能量在40KeV-200KeV范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，离子注入角为离子注入方向与基底法线的夹角，在0度-80度范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入剂量在1015ions/cm2至1017ions/cm2量级范围内。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底在离子注入前，进行擦洗或超声清洗，并烤干或用高纯氮气吹干。
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