[发明专利]硅核量子点壳复合纳米材料与制备方法及应用和产品

权利要求书

1.一种复合纳米材料，其特征在于，所述复合纳米材料具有核壳结构，内核层为SiO₂纳米颗粒，外壳层为羧基化量子点，所述内核层和外壳层之间还有正电性聚合物层；

复合纳米材料的粒径大小为100-400nm；

所述SiO₂纳米颗粒的粒径大小为80-350nm；SiO₂纳米颗粒表面的正电性聚合物层的厚度为1-10nm；正电性聚合物为PEI；PEI的数均分子质量为5000-80000。

2.根据权利要求1所述的复合纳米材料，其特征在于，所述羧基化量子点的荧光发射波长范围为400-800nm。

3.根据权利要求1所述的复合纳米材料，其特征在于，所述羧基化量子点的材料包括CdTe、CdSe、InP、InAs、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdTe/ZnS、CdHgTe/ZnS或HgTe/HgCdS。

4.根据权利要求1所述的复合纳米材料，其特征在于，SiO₂纳米颗粒采用化学沉淀法制备得到。

5.根据权利要求4所述的复合纳米材料，其特征在于，所述化学沉淀法包括：将含硅的前驱体和还原剂加入到有机溶剂中，搅拌均匀后进行合成反应，待反应完成后离心收集产物，得到SiO₂纳米颗粒。

6.根据权利要求5所述的复合纳米材料，其特征在于，所述含硅的前驱体为正硅酸乙酯。

7.根据权利要求5所述的复合纳米材料，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇。

8.根据权利要求5所述的复合纳米材料，其特征在于，所述还原剂为27-29%氨水。

9.权利要求1~8任一项所述的复合纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在SiO₂纳米颗粒表面修饰正电性聚合物，再修饰羧基化量子点，得到复合纳米材料。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，SiO₂纳米颗粒表面修饰正电性聚合物的步骤包括：利用超声使得正电性聚合物修饰在SiO₂纳米颗粒表面。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，正电性聚合物修饰在SiO₂纳米颗粒表面的超声的时间为20-60min。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，正电性聚合物修饰在SiO₂纳米颗粒表面的超声的时间为40min。

13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，SiO₂纳米颗粒和正电性聚合物的浓度比为1：（4-8）。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，SiO₂纳米颗粒和正电性聚合物的浓度比为1:5。

15.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，正电性聚合物的浓度为0.5-5mg/mL。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，正电性聚合物的浓度为1mg/mL。

17.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，SiO₂纳米颗粒采用化学沉淀法制备得到。