[其他]声学换能器

说明书

一种声学换能器，该声学换能器响应于声学信号生成电信号，该声学换能器包括换能器基板、背板以及振膜组件。该振膜组件包括第一振膜以及联接至该第一振膜的第二振膜。该第二振膜被定位得比第一振膜更靠近背板。第二振膜包括多个振膜孔，所述多个振膜孔被配置成允许空气穿过第二振膜。背板和第一振膜中的每一个是在它们的周边处联接至换能器基板的。在实施方式中，该换能器包括支柱，该支柱联接至第一振膜和第二振膜，该支柱被配置成，防止第二振膜沿大致垂直于第二振膜的方向相对于第一振膜移动。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年11月9日提交的题为“Acoustic Transducer with ReducedDamping”美国临时申请No.62/757,983的权益和优先权，通过引用其全部内容而将其公开并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及声学换能器(acoustic transducer)，特别是微机电系统(MEMS：microelectromechanical system)换能器。

背景技术

MEMS换能器包括穿孔(perforated)背板和未穿孔振膜，它们响应于入射声能而彼此相对移动从而生成电信号。电信号对应于振膜与背板之间的电容的变化。由 MEMS换能器生成的电信号中的主要噪声源之一是和振膜与背板之间的空间中的“挤压膜阻尼”(SFD：squeeze film damping)(下文中被称为阻尼)关联的。噪声量通常是和振膜与背板之间的阻尼量成正比的。在MEMS换能器中，需要降低与阻尼关联的噪声，从而提高MEMS换能器的信噪比(SNR：signal-to-noise ratio)。

实用新型内容

本公开的第一方面涉及一种响应于声学信号来生成电信号的声学换能器。该声学换能器包括限定了多个孔的背板以及振膜组件。该振膜组件包括一对振膜，即，第一振膜以及联接至该第一振膜的第二振膜。该对振膜中的各个振膜是大致平行于背板取向的。将第一振膜相对于背板偏移成，使得在第一振膜与背板之间形成空腔。该第二振膜被定位得比第一振膜更靠近背板。该第二振膜限定了多个振膜孔。

本公开的第二方面也涉及一种响应于声学信号来生成电信号的声学换能器。该声学换能器包括一对背板，即，大致平行于第二背板设置的第一背板。将第一背板相对于第二背板偏移成，使得在第一背板与第二背板之间形成空腔。第一背板限定了第一多个孔，并且第二背板限定了第二多个孔。该声学换能器包括振膜组件，该振膜组件包括一对振膜，即，第一振膜以及联接至该第一振膜的第二振膜。所述振膜中的各个振膜是大致平行于第一背板取向的。该对振膜中的第二振膜被设置在形成于第一背板与第二背板之间的空腔中。该第二振膜限定了多个振膜孔。

前述实用新型内容仅仅是例示性的，而非以任何方式进行限制。除了上述例示方面、实施方式以及特征以外，另外的方面、实施方式以及特征通过参照下列附图和详细描述将变得显而易见。

附图说明

本公开的前述和其它特征根据下面结合附图的描述和所附权利要求将完全变得更加显而易见。附图仅描绘了根据本公开的几个实施方式，并因此不应被视为对其范围的限制。下面，结合附图对各种实施方式进行更详细描述。

图1是根据例示性实施方式的声学换能器的立体截面图。

图2是图1的声学换能器的侧截面图。

图3是根据例示性实施方式的与图1的换能器类似的声学换能器的概念表示。

图4是根据例示性实施方式的图3的概念表示的局部视图。

图5是示出根据例示性实施方式的针对三种不同类型的声学换能器的根据孔间距的阻尼力系数的曲线图。

图6是示出根据例示性实施方式的振动两种不同类型的单振膜声学换能器的根据孔间距的阻尼降低的曲线图。