[发明专利]薄膜电容器制造用镍箔及其制造方法

说明书

本发明涉及一种电解镍箔，在该电解镍箔的至少一侧的平坦表面的表面粗糙度Ra为0.05μm以下，Rz为0.2μm以下，并且Rt为0.5μm以下，并且通过测量60°镜面反射角从而测定的光泽度为至少200GU。

技术领域

本发明涉及一种电解镍箔，并且特别涉及一种无需经过化学机械抛光(CMP)工艺即可制造薄膜型电容器的低粗糙度和高光泽度电解镍箔、该电解镍箔的制备方法以及由该电解镍箔制造的薄膜型电容器。

背景技术

包括集成电路的半导体器件需要能够传输高频和高速信号并且能够在低电压下工作。为了稳定地供电并同时尽量减少噪声的产生，首先需要系统具有低阻抗。因此，将具有高静态电容密度的薄膜型陶瓷薄膜电容器用于印刷线路板封装。

通过在诸如镍之类的金属箔上沉积电介质，对其进行烧制，然后在电介质上沉积金属，从而制造薄膜型陶瓷薄膜电容器。在具有这种结构的电容器的情况下，需要金属箔具有高平坦度以防止发生短路，但是常规使用的金属箔具有低的表面平坦度，因此不适合直接使用。

化学机械抛光(CMP)是用于降低制造薄膜型电容器用金属箔的粗糙度的最广泛采用的方法。如韩国专利申请公开No.10-2012-0007064所述，CMP在降低粗糙度方面是有效的，但其缺点在于加工成本高，并且耗时长。

为了获得具有低表面粗糙度的金属薄膜以提高加工效率和制造的电容器的稳定性，人们已经进行了各种研究。例如，韩国专利申请No.10-2017-0174849公开了一种制备具有优异表面粗糙度的铁镍合金箔的方法。然而，根据该发明，平均表面粗糙度(Ra)仅降低至约0.1μm，这仍然不足以制造薄膜型陶瓷薄膜电容器。

发明内容

[技术问题]

本发明旨在提供一种电解镍箔，由于该电解镍箔具有低且均匀的粗糙度和高光泽度，因此该电解镍箔无需经过单独的化学机械抛光(CMP)工艺即可制造薄膜型电容器。

本发明还旨在提供一种由该电解镍箔制造的薄膜型电容器。

本发明还旨在提供一种制造电解镍箔的方法，该方法由于电解镍箔的低粗糙度和高光泽度而无需进行单独的CMP工艺。

本发明的上述和其他目的全部都可以通过下面描述的本发明实现。

[技术方案]

1.本发明的一个方面提供了一种电解镍箔。通过使电解镍箔的至少一个表面上包括平坦表面，从而得到该电解镍箔，该平坦表面的算术平均表面粗糙度(Ra)为约0.05μm以下，十点平均表面粗糙度(Rz)为约0.20μm以下，最大表面凸起高度(Rt)为约0.50μm以下，并且60°镜面光泽度为约200GU以上。

2.在第一实施方案中，电解镍箔的Ra可为约0.03μm以下，Rz可为约0.15μm以下，Rt可为约0.30μm以下，并且60°镜面光泽度可为约400GU以上。

3.在第一或第二实施方案中，电解镍箔的总厚度可为约1μm至100μm。

4.本发明的另一方面提供了一种制造电解镍箔的方法。该制造方法包括用pH为约1至5的电解液进行电解电镀，所述电解液包含约400g/L至600g/L的镍离子前体、约10g/L至30g/L的pH缓冲液和约0.5g/L至2.0g/L的粗糙度控制剂。

5.在第四实施方案中，镍离子前体可为选自由硫酸镍、氨基磺酸镍、氯化镍和硝酸镍组成的组中的一种或多种物质。

6.在第四或第五实施方案中，pH缓冲液可以选自硼酸和柠檬酸钠。

7.在第四至第六实施方案中，粗糙度控制剂可为选自由糖精、羧乙基异硫脲氯化物、烯丙基磺酸钠、丁炔二醇丙氧基化物、丁炔二醇乙氧基化物、炔丙醇丙氧基化物、吡啶丙基磺基甜菜碱和丙磺酸钠盐组成的组中的两种或更多种物质。