[发明专利]薄膜电容器制造用镍箔及其制造方法

权利要求书

1.一种电解镍箔，在所述电解镍箔的至少一个表面上包括平坦表面，所述平坦表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05μm以下，十点平均粗糙度(Rz)为0.20μm以下，最大凸起高度(Rt)为0.50μm以下，并且60°镜面光泽度为200GU以上。

2.根据权利要求1所述的电解镍箔，其中所述平坦表面的Ra为0.03μm以下，Rz为0.15μm以下，Rt为0.30μm以下，并且60°镜面光泽度为400GU以上。

3.根据权利要求1或2所述的电解镍箔，其中所述电解镍箔的厚度为1μm至100μm。

4.一种制造电解镍箔的方法，包括用pH为1至5的电解液进行电解电镀，所述电解液包含400g/L至600g/L的镍离子前体、10g/L至30g/L的pH缓冲液和0.5g/L至2.0g/L的粗糙度控制剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述镍离子前体为选自由硫酸镍、氨基磺酸镍、氯化镍和硝酸镍组成的组中的一种或多种物质。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述粗糙度控制剂为选自由糖精、羧乙基异硫脲氯化物、烯丙基磺酸钠、丁炔二醇丙氧基化物、丁炔二醇乙氧基化物、炔丙醇丙氧基化物、吡啶丙基磺基甜菜碱和丙磺酸钠盐组成的组中的两种或更多种物质。

7.根据权利要求4所述的方法，其中通过在40℃至60℃以10A/dm²至100A/dm²的电流密度施加电流从而进行所述电解电镀。

8.一种薄膜电容器，其包括：

根据权利要求1或2所述的电解镍箔；

在所述电解镍箔上形成的电介质；以及

在所述电介质上形成的导电金属层。