[发明专利]显示装置及显示装置的检查方法在审
| 申请号: | 201980101393.6 | 申请日: | 2019-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN114557127A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 山田淳一;河村武彦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H05B33/12 | 分类号: | H05B33/12;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/06;H05B33/22;H05B33/26 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 检查 方法 | ||
在显示装置(1)中,金属层(CDL1)具有多个开口部(KA),岛状的电极焊盘(PAD1、PAD2)至少隔着包含平坦化膜(21)的绝缘膜与多个开口部(KA)中的一个以上重叠。
技术领域
本发明涉及一种显示装置以及显示装置的检查方法。
背景技术
近年来,开发了各种各样具备发光元件的显示装置,尤其是,具备OLED(OrganicLight Emitting Diode:有机发光二极管)的显示装置、具备无机发光二极管或QLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子点发光二极管)的显示装置从能够实现低功耗化、薄型化及高画质化等方面出发,备受关注。
在这些显示装置的领域中,在显示装置的制造工艺中,会有预先在显示装置中制作解析用或检查用的电极焊盘,并根据需要用于各种特性评价。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国公开专利公报“特开2002-350802号公报”(2002年12月04日公开)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
图15是表示在边框区域NDA中以框状形成有金属层CDL的现有的显示装置100的概略结构的图。
图15所示的显示装置100包括显示区域DA、显示区域DA周围的边框区域NDA、设置于边框区域NDA的一端部的端子部TER、作为第一电源电压线的ELVDD电压线以及作为第二电源电压线的ELVSS电压线。
ELVDD电压线包括:干配线ELVDDM,与端子部TER平行地形成;多条分支配线(未图示),与干配线ELVDDM电连接,并形成在显示区域DA及边框区域NDA;以及两条引绕配线ELVDDH,分别从端子部TER的端子TP2及端子TPn-1延伸,并与干配线ELVDDM电连接。
另一方面,ELVSS电压线包含:干配线ELVSSM,其在边框区域NDA中设置成框状,且在图15中用虚线表示;两条引绕配线ELVSSH,分别从端子部TER的端子TP1和端子TPn延伸且与干配线ELVSSM电连接,使得ELVSS电压线包围除显示区域DA的图中下边的一部分以外的显示区域DA的端部。
虽未图示,但在显示装置100的显示区域DA中包括多个发光元件、多个薄膜晶体管以及多个电容元件,这些多个发光元件由像素电路驱动,该像素电路包含形成于所述多个发光元件的下层的薄膜晶体管以及电容元件。所述多个发光元件分别包括作为上层的共用电极和作为下层的反射电极。上述共用电极需要与ELVSS电压线的干配线ELVSSM电连接,因此,上述共用电极形成至显示区域DA的整体和边框区域NDA的一部分,且在边框区域NDA中,与和上述反射电极同层及由同一材料形成的金属层CDL直接接触,上述共用电极与金属层CDL电连接。另外,金属层CDL也与ELVSS电压线的干配线ELVSSM直接接触,所述共用电极经由金属层CDL与ELVSS电压线的干配线ELVSSM电连接。
在这样的结构的显示装置100中,会有如图15所示地预先制作解析用或检查用的电极焊盘PADR的情况。解析用或检查用的电极焊盘PADR由与形成在比上述多个发光元件更靠下层的薄膜晶体管以及电容元件的电极、配线相同的层以及同一材料形成,因此解析用或检查用的电极焊盘PADR成为被金属层CDL覆盖的状态,其中,所述金属层CDL与上述反射电极同层以及由同一材料形成。
因此,为了进行使用了显示装置100所具备的电极焊盘PADR的解析或检查,能够通过金属层CDL确认设置于比金属层CDL靠下层的电极焊盘PADR的位置是必要的,其中,所述金属层CDL与上述反射电极同层以及由同一材料形成。
但是,在电极焊盘PADR上形成有与上述反射电极同层以及以同一材料形成的金属层CDL的情况下,由于金属层CDL的反射等,难以确认设置于下方的电极焊盘PADR的位置。
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