[发明专利]支承玻璃基板在审
申请号: | 201980098843.0 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN114222722A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 稻叶诚二;斋藤康成;玉井喜芳;小野和孝;小林悠波 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
主分类号: | C03C3/091 | 分类号: | C03C3/091;C03C3/062;C03C3/064;C03C3/068;C03C3/083;C03C3/085;C03C3/089;C03C3/093;C03C3/095;H01L23/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支承 玻璃 | ||
本发明的支承玻璃基板实现挠曲的抑制和轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率为32.0(GPa·cm3/g)以上,且是大于比率算出值的值,该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示:α=2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里,Vi为支承玻璃基板(10)所含的金属氧化物的填充参数,Gi为支承玻璃基板10所含的金属氧化物的解离能,Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量,Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。
技术领域
本发明涉及支承玻璃基板。
背景技术
伴随电子设备的小型化,以高密度安装这些电子设备中使用的半导体器件的技术的需求变高。近年来,作为以高密度安装半导体器件的技术,例如提出了扇出型晶圆级封装(Fan Out Wafer Level Package:FOWLP)或扇出型面板级封装(Fan Out Panel LevelPackage:FOPLP)。以下,将FOWLP与FOPLP统称为FOWLP等。
在FOWLP等中,为了抑制层叠有半导体器件的加工基板的挠曲,有时使用支承加工基板的支承玻璃基板(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第6443668号公报
发明内容
对于用于FOWLP等的支承玻璃基板等用于支承构件的支承玻璃基板,要求抑制挠曲,并且也要求轻量化。支承玻璃基板在为了抑制挠曲而使厚度变厚的情况下,质量增加,如果为了轻量化而使厚度变薄,则容易产生挠曲。因此,存在难以兼顾挠曲的抑制与轻量化的情况。
本发明是鉴于上述课题而作出的,其目的在于提供一种能够实现挠曲的抑制与轻量化的支承玻璃基板。
为了解决上述的课题并实现目的,本公开的支承玻璃基板的杨氏模量ε(GPa)相对于密度d(g/cm3)的比率ε/d(GPa·cm3/g)为32.0(GPa·cm3/g)以上,且是大于比率算出值α(GPa·cm3/g)的值,该比率算出值α是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值α(GPa·cm3/g)由下式表示。
α=2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}
这里,Vi为上述支承玻璃基板所含的金属氧化物的填充参数,Gi为上述支承玻璃基板所含的金属氧化物的解离能,Mi为上述支承玻璃基板中所含的金属氧化物的分子量,Xi为上述支承玻璃基板中所含的金属氧化物的摩尔比。
根据本发明,能够实现挠曲的抑制与轻量化。
附图说明
图1是本实施方式的支承玻璃基板的示意图。
图2是用于说明本实施方式的支承玻璃基板的性能的图表。
图3是表示实施例和比较例的挠曲的测定方法的示意图。
图4是表示实施例和比较例的支承玻璃基板的特性的图表。
具体实施方式
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