[发明专利]发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种发光元件,其特征在于,其在基板上具有：

阳极；

阴极；

量子点层,设于所述阳极与所述阴极之间,层叠有发光性的多个第一量子点及非发光性的多个第二量子点；

空穴传输层,设置于所述阳极与所述量子点层之间；

电子传输层,设置于所述阴极与所述量子点层之间；

多个所述第二量子点比所述空穴传输层侧更多地设置在所述电子传输层侧。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，多个所述第二量子点中的至少一部分与所述电子传输层接触。

3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，多个所述第二量子点的电导率低于多个所述第一量子点的电导率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述第一量子点包含在最外层形成的第一配体，

所述第二量子点包含在最外层形成的第二配体，

多个所述第一配体中的一分子中包含的碳原子数与多个所述第二配体中的一分子中包含的碳原子数相等。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，

一个所述第一量子点所包含的多个所述第一配体的重量大于一个所述第二量子点所包含的的多个所述第二配体的重量。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其特征在于，所述量子点层具有:

发光层,以层状形成多个所述第一量子点；

非发光层,以层状形成多个所述第二量子点；

所述非发光层位于相比所述电子传输层侧更靠近所述空穴传输层侧。

7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，

所述非发光层的厚度为所述量子点层的厚度的二分之一以下。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述量子点层的厚度为50nm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述阳极设置在所述阴极与所述基板之间。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述阴极设置在所述阳极与所述基板之间。

11.一种显示装置,其特征在于，包括:

薄膜晶体管；

与所述薄膜晶体管电连接的权利要求1至10中任一项所述的发光元件。

12.一种发光元件的制造方法,其特征在于,

在基板上，

形成阳极；

形成阴极；

形成量子点层,所述量子点层设于所述阳极与所述阴极之间,并层叠有发光性的多个第一量子点及非发光性的多个第二量子点；

形成空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极与所述量子点层之间；

形成电子传输层,所述电子传输层设置于所述阴极与所述量子点层之间，

多个所述第二量子点比所述空穴传输层侧更多地设置在所述电子传输层侧。

13.根据权利要求12所述的发光元件的制造方法,其特征在于，所述阳极在形成所述阴极之前形成。

14.根据权利要求13所述的发光元件的制造方法,其特征在于,所述量子点层是在所述阳极上形成所述空穴传输层后,形成层叠有多个量子点的层叠体,并对所述层叠体进行氧化处理来形成的。

15.根据权利要求14所述的发光元件的制造方法,其特征在于，所述氧化处理是在所述层叠体上形成所述电子传输层，并在所述电子传输层上形成所述阴极之后进行的。