[发明专利]成膜掩模的制造方法

权利要求书

1.一种成膜掩模的制造方法，该成膜掩模具有：框架；掩模基材，其以被拉伸的状态固定设于所述框架；以及多个开口部，其设置于所述掩模基材的有源区域形成部，排列为具有m行n列的矩阵状，所述成膜掩模的制造方法的特征在于，具备：

工序A，准备初始状态的掩模基材，所述初始状态的掩模基材以规定的条件被拉伸的状态下固定于所述框架，使得能够规定xy面；

工序B，准备所确定的所述多个开口部的每一个在xy面中的位置的目标坐标数据；

工序C，对所述多个开口部的每一个，预测因形成开口部而产生的从所述目标坐标数据位移的位移量，生成减少所述位移量的校正数据；以及

工序D，在基于所述目标坐标数据和所述校正数据确定的位置上形成所述多个开口部的每一个，

在所述工序C中，关于所述多个开口部的每一个的所述校正数据与形成所述多个开口部的顺序相关联，且

在所述工序D中，所述多个开口部按照所述顺序形成。

2.如权利要求1所述的成膜掩模的制造方法，其特征在于，所述工序C包括工序CS，该工序CS通过使用有限元法的模拟，求出根据形成所述多个开口部的顺序来形成开口部时的所述掩模基材的整体的应变分布，基于此预测所述多个开口部的每一个的位移量，生成所述校正数据，

所述工序CS包括：

工序CS1，基于即将形成第k个开口部之前的所述掩模基材的整体的应变分布，求出要形成第k个开口部的所述掩模基材上的位置的位移量D1(k)；

工序CS2，基于形成有所述多个开口部的全部之后的所述掩模基材的整体的应变分布，求出要形成第k个开口部的所述掩模基材上的位置的位移量D2(k)；以及

工序CS3，从D1(k)以及D2(k)求出所述第k个开口部的校正数据C(k)。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述工序CS中，预先提供用于求出所述初始状态的所述掩模基材的整体的应变分布的初始参数，所述初始参数为杨氏模量Yx⁰、Yy⁰、剪切弹性模量Gxy⁰、泊松比Pxy⁰、密度ρ⁰、张力Tx⁰、Ty⁰、尺寸Lx0、Ly⁰、Lz⁰。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述工序C在所述工序CS中包含求出用于求出所述初始状态的所述掩模基材的整体的应变分布的初始参数中的至少Lz⁰在xy面中的分布的工序CSP，所述初始参数为杨氏模量Yx⁰、Yy⁰、剪切弹性模量Gxy⁰、泊松比Pxy⁰、密度ρ⁰、张力Tx⁰、Ty⁰、尺寸Lx0、Ly⁰、Lz⁰，

所述工序CSP还包括：工序CSP1，通过使用有限元法的模拟，求出按照形成所述多个开口部的顺序，以与所述多个开口部中的每一个分别对应的方式，形成具有所述掩模基材的厚度的40％以下的深度d的多个凹部时的所述掩模基材的整体的应变分布；

工序CSP2，对形成的所述多个凹部的位置进行测定；

工序CSP3，对基于在所述工序CSP1中得到的应变分布而求出的所述多个凹部的每一个的位移量D^P与根据在所述工序CSP2中得到的所述多个凹部的位置而求出的所述多个凹部的每一个的位移量D^M进行比较；以及

工序CSP4，基于通过所述工序CSP3得到的比较结果，以使所述位移量D^P与所述位移量D^M之差变小的方式，求得所述初始参数内、Lz⁰在xy面中的分布。