[发明专利]投影系统和包括所述投影系统的光刻设备

说明书

公开了一种用于光刻设备的投影系统，该投影系统包括：被配置为沿路径引导束的多个光学元件、以及被配置为接收指示多个光学元件中的第一光学元件的变形的输入信号的控制系统。多个光学元件可以被配置为将束定位到布置在物体支撑件上的物体上，并且图案可以通过布置在支撑结构上的图案形成装置被赋予束。控制系统被配置为：基于上述输入信号生成用于控制多个光学元件中的至少第二光学元件的位置的输出信号；和_/或基于上述输入信号生成用于控制上述物体支撑件的位置的输出信号；和_/或基于上述输入信号生成用于控制上述支撑结构的位置的输出信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年1月18日提交的EP申请19152497.4的优先权，该EP申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于光刻设备的投影系统、一种包括该投影系统的光刻设备、以及一种用于控制投影系统的方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以使用图案形成装置(替代地称为掩模或掩模版)生成要形成在IC的个体层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛认为是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制作的特征的尺寸变得更小，光刻正在成为使得能够制造微型IC或其他器件和/或结构的更关键因素。

图案印刷极限的理论估计可以由如等式(1)所示的分辨率的瑞利准则给出：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是工艺相关调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷特征的特征尺寸（或临界尺寸）。从等式（1）可以看出，可以通过三种方式减小特征的最小可印刷尺寸：缩短曝光波长λ，增加数值孔径NA，或者减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并且因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外（EUV）辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内（例如，在13-14nm范围内）的电磁辐射。还提出可以使用波长小于10nm（例如，在5-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm）的EUV辐射。可能的源包括激光产生等离子体（LPP）源，但其他类型的源也是可能的。

用于EUV光刻的LPP源的开发的当前进展的示例在Benjamin Szu-Min Lin、DavidBrandt、Nigel Farrar的文章“High power LPP EUV source system developmentstatus”（SPIE Proceedings Vol.7520,Lithography Asia 2009,December 2009(SPIEDigital Library reference DOI:10.1117/12.839488)）中有描述。在光刻设备中，源设备通常被容纳在其自身的真空壳体内，同时提供小的出射孔以将EUV辐射束耦合到要使用辐射的光学系统中。

为了在用于光刻的高分辨率图案化中有利，当EUV辐射束到达掩模版时，必须调节EUV辐射束以获得期望参数，诸如强度和角度分布的均匀性。照射系统的示例在美国专利申请公开号US 2005/0274897A1（Carl Zeiss/ASML）和US 2011/0063598A（Carl Zeiss）中有描述。示例系统包括将EUV源的高度不均匀的强度分布转换为更均匀和可控的源的“蝇眼”照射器。