[发明专利]用于测量光刻设备的聚焦性能的方法、图案形成装置和设备、以及器件制造方法

权利要求书

1.一种测量光刻设备的聚焦性能的方法，所述方法包括：

(a)获得与衬底上的所印制的聚焦量测图案中的第一周期性阵列的衍射光谱的相反部分之间的所测量的不对称性相关的测量数据；和

(b)至少部分地基于被包括在测量数据内的所述不对称性来导出聚焦性能的测量结果，

其中所述第一周期性阵列包括不具有特征的间隔区和具有至少一个第一特征和至少一个第二特征的图案区的重复布置，所述至少一个第一特征包括从主体突出的子特征；以及其中所述第一特征和第二特征足够接近以在测量步骤中被测量时被有效地检测为单个特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个图案区内的所述至少一个第一特征和所述至少一个第二特征中的每个第一特征和每个第二特征之间的最大间距为以下的至少一种：

-不大于印制步骤的分辨率极限的两倍；和

-不大于80nm。

3.根据前述任一权利要求所述的方法，其中，所述每个所述子特征从所述主体不对称地突出。

4.根据前述任一权利要求所述的方法，其中，每个第二特征位于与所述第一特征中的相应一个第一特征的主体的、所述子特征从所述主体延伸所离开的一侧相同的侧上。

5.根据前述任一权利要求所述的方法，其中，每个图案区的最外侧的第二特征具有有效厚度，所述有效厚度是第一特征与第二特征之间的间距和/或所述第一特征的所述主体的厚度的至少两倍；并且

其中，可选地，所述最外侧的第二特征包括以下中的任一项：

单线特征，所述单线特征具有作为第一特征与第二特征之间的间距和/或所述第一特征的所述主体的厚度的至少1.5倍的厚度，

包括两个相邻线的双线特征，或

包括两个相邻线的双线特征，其中最外侧的线具有第一特征与第二特征之间的间距和/或所述第一特征的所述主体的宽度的至少1.5倍的宽度。

6.根据前述任一权利要求所述的方法，其中，满足以下中的至少一项：

-每个第二特征包括线；

-每个图案区包括所述第一特征和第二特征的至少一次重复；

-每个第一特征和第二特征的最小尺寸接近于但不小于印制步骤的分辨率极限；和

-在周期性方向上，所述间隔区的宽度与所述图案区的宽度的最大比率与最小比率之间的比率小于3:1或小于2:1、或小于3:2。

7.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所印制的聚焦量测图案至少包括特征的第一周期性阵列和第二周期性阵列，特征的每个周期性阵列具有如前述权利要求所指定的形式，其中在每个周期性阵列内存在被编程的不对称性，所述第二周期性阵列的不对称性与所述第一周期性阵列的不对称性是相反的，并且其中所测量的数据内的所述不对称性包括所述第一周期性阵列和第二周期性阵列中的每个周期性阵列的不对称性，并且步骤(b)通过将与所述周期性阵列相对应的不对称性进行组合来确定聚焦性能的所述测量；以及

其中，可选地，所述子特征布置成使得每个第二特征关于所述周期性方向是不对称的，并且其中特征的所述第二周期性阵列中的每个第二特征的不对称性与特征的所述第一周期性阵列中的每个第二特征的不对称性是相反的。

8.根据前述任一权利要求所述的方法，其中，步骤(a)中的测量是使用具有作为所述第一特征和/或第二特征的所述最小尺寸的至少两倍长的波长的辐射来执行的。

9.根据前述任一权利要求所述的方法，包括使用检查辐射来测量所印制的聚焦量测图案中的所述第一周期性阵列的衍射光谱的相反部分之间的所述不对称性。