[发明专利]用于制造微机电传感器的方法和微机电传感器

权利要求书

1.用于制造微机电传感器(1)的方法，其中，所述微机电传感器(1)通过罩晶片(2)与传感器晶片(3)的连接制造，其中，所述罩晶片(2)具有用于使所述罩晶片(2)与所述传感器晶片(3)连接的键合结构(4)，其中，所述传感器晶片(3)具有传感器芯(5)，该传感器芯具有可运动结构(6)，并且所述罩晶片(2)具有用于限界所述可运动结构(6)的偏移的止挡结构(7)，其特征在于，所述方法具有第一步骤和在所述第一步骤之后进行的第二步骤，其中，在所述第一步骤中将硬掩模(8)施加到所述罩晶片(2)的部分区域(9)上，其中，所述罩晶片(2)的被掩盖的所述部分区域(9)确定所述止挡结构(7)的止挡面(7’)，其中，在所述第二步骤中将键合层施加到所述罩晶片(2)上并且通过所述键合层的蚀刻产生所述键合结构(4)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述传感器芯(5)的所述可运动结构(6)包括两个通过多晶硅桥(13)相互连接的部分结构(12、12’)，其中，所述多晶硅桥(13)在所述可运动结构(6)的静止状态中在偏移方向(11)上与所述传感器芯(5)的固定结构(14)间隔开。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一步骤之前进行的第三步骤中将氧化物层施加到所述罩晶片上并且通过所述氧化物层的蚀刻产生保护结构(15)，所述保护结构在所述罩晶片(2)与所述传感器晶片(3)连接时保护所述传感器芯(5)以防所述键合结构(4)的材料的侵入。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述第一步骤之前进行的第四步骤中通过蚀刻在所述罩晶片(2)的表面上产生凹陷部(10)并且在所述第一步骤中将另外的硬掩模(8’)施加到所述罩晶片(2)的另外的部分区域(9’)上，其中，所述另外的部分区域(9’)位于所述凹陷部(10)内部并且所述罩晶片(2)的被掩盖的所述另外的部分区域(9’)确定罩电极(17)的面(17’)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述第二步骤之后进行的第五步骤中通过蚀刻产生凹口(19)以用于形成腔。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述第二步骤之后进行的第六步骤中移除所述硬掩模(8)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第六步骤之前进行的第七步骤中使所述键合结构(4)和/或所述保护结构(15)设有保护漆(18)，所述保护漆在移除所述硬掩模(8)时保护所述键合结构(4)和/或所述保护结构(15)以防材料剥除。

8.微机电传感器(1)，所述微机电传感器由具有带可运动结构(6)的传感器芯(5)的传感器晶片(3)和具有止挡结构(7)的罩晶片(2)组成，其中，所述传感器晶片(3)和所述罩晶片(2)通过共晶合金相互连接，并且所述微机电传感器(1)尤其通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法制造，其中，所述罩晶片(2)的所述止挡结构(7)限界所述传感器芯(5)的所述可运动结构(6)的偏移，其中，所述可运动结构(6)包括两个通过多晶硅桥(13)相互连接的部分结构(12、12’)，其中，所述多晶硅桥(13)在所述可运动结构(6)的静止状态中在偏移方向(11)上通过第一距离(20)与所述传感器芯(5)的固定结构(14)间隔开，其中，所述可运动结构(6)在所述静止状态中在偏移方向(11)上通过第二距离(21)与所述止挡结构(7)的止挡面(7’)间隔开，其特征在于，所述第一距离(20)大于所述第二距离(21)。

9.根据权利要求8所述的微机电传感器(1)，其中，所述罩晶片(2)具有罩电极(17)，该罩电极布置在所述罩晶片(2)的凹陷部(10)中，其中，所述可运动结构(6)在所述静止状态中在偏移方向(11)上通过第三距离(22)与所述罩电极(17)的面(17’)间隔开，其中，所述第三距离(22)大于或等于所述第二距离(21)。