[发明专利]存储器装置的纠错管理

说明书

描述用于纠错管理的方法、系统和装置。一种系统可以包含支持损坏数据的内部检测和纠正的存储器装置，并且可以评估此类检测和纠正功能是否恰当操作。已知错误可能包含(例如，有意引入)到所述存储器装置处存储的数据或相关联的纠错码字中以及其它选项，并且可考虑到错误来评估由存储器装置随后生成的数据或其它指示的正确性。因此，所述存储器装置或与所述存储器装置耦合的主机装置以及其它装置可以确定所述存储器装置内部的检错和纠错功能是否恰当操作。

交叉引用

本专利申请要求勃姆(Boehm)等人于2019年9月20日提交的题为“存储器装置的纠错管理(ERROR CORRECTION MANAGEMENT FOR AMEMORY DEVICE)”的第16/578,094号美国专利申请和勃姆(Boehm)等人于2018年10月16日提交的题为“存储器装置的纠错管理(ERRORCORRECTION MANAGEMENT FOR A MEMORY DEVICE)”的第62/746,295号美国临时专利申请的优先权，所述申请中的每一者均转让给本受让人，并且所述申请中的每一者均以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及纠错管理，更具体地，涉及存储器装置的纠错管理。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。例如，二进制装置最经常存储两个状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储两个以上状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

各种类型的存储器装置包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器可维持其所存储逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM、SRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。例如DRAM、SDRAM的动态存储器装置可随时间推移而丢失所存储状态，除非它们被周期性地刷新。

在一些情况下，存储在存储器装置中的数据可能会损坏。一些存储器装置可以被配置成在内部纠正此类数据损坏或错误(例如，数据错误)，从而恢复损坏之前存储的数据。此类存储器装置可以被称为纠错码(ECC)存储器。可能需要用于确定ECC存储器装置内的ECC功能是否恰当操作的改进技术。

附图说明

图1示出根据本文公开的实例的支持纠错管理的存储器阵列的实例。

图2示出根据本文公开的实例的支持纠错管理的电路的实例。

图3示出根据本文公开的实例的支持纠错管理的系统的实例。

图4到6示出如本文所公开的支持纠错管理的过程流。

图7示出如本文所公开的支持纠错管理的存储器装置的框图。

图8示出如本文所公开的支持纠错管理的主机装置的框图。

图9到15示出的流程图说明如本文所公开的支持纠错管理的一或多种方法。

具体实施方式