[发明专利]用于掩模版位置和力的实时检测的传感器阵列

说明书

一种被配置成将掩模版保持在掩模版平台上的固定平面中的夹持设备包括：夹具、传感器和控制器。所述传感器设置在所述夹具的前侧上且被配置成在掩模版交换过程期间检测所述掩模版在掩模版交换区域中的位置。所述掩模版的所述位置包括所述掩模版的后侧与所述夹具的所述前侧之间的竖直距离、以及所述掩模版的所述后侧与所述夹具的所述前侧之间的相对倾角。所述控制器联接至所述传感器且被配置成基于由所述传感器检测的所述掩模版的所述位置来控制所述夹具的位置。

相关申请的交叉引用

本申请要求(1)2018年11月9日递交的美国临时专利申请号62/758,093和(2)2019年2月6日递交的美国临时专利申请号62/801,888的优先权，这两个美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及传感器，例如，用于光刻设备和系统中的掩模版的定位和力传感器。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模、掩模版)的图案投影至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以形成在衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

在掩模版交换过程期间，从掩模版输送装置至掩模版平台的夹具的掩模版移交或传送包括未知掩模版位置偏移和掩模版倾角偏移。夹具与掩模版之间的倾角或过度不对准可以是粒子产生源，并且可能随着时间推移而损坏掩模版或夹具。不管校准如何，由于掩模版机械和定位公差则仍存在变化，这可能产生高的拐角影响以及夹具和掩模版上的不可预测的第一接触点。需要以可靠、均一且高效的方式减小对掩模版和夹具的损坏。

发明内容

在一些实施例中，一种夹持设备包括夹具、传感器和控制器。在一些实施例中，所述夹持设备被配置成将掩模版保持在掩模版平台上的固定平面中。在一些实施例中，所述传感器被设置在所述夹具的前侧上。在一些实施例中，所述传感器被配置成在掩模版交换过程期间检测掩模版在掩模版交换区域中的位置。在一些实施例中，所述掩模版的所述位置包括所述掩模版的后侧与所述夹具的所述前侧之间的竖直距离、以及所述掩模版的所述后侧与所述夹具的所述前侧之间的相对倾角。在一些实施例中，所述控制器联接至所述传感器且被配置成基于由所述传感器检测的所述掩模版的所述位置来控制所述夹具的位置。在一些实施例中，所述传感器是传感器阵列。

在一些实施例中，所述控制器被配置成实时地校正所述掩模版的所述后侧与所述夹具的所述前侧之间的竖直距离偏移和相对倾角偏移。在一些实施例中，所述控制器被配置成控制所述掩模版平台以允许所述夹具进行顺应性移动，直到所述夹具的所述前侧和所述掩模版的所述后侧接触且共面为止。在一些实施例中，所述控制器被配置成减小接触力且使所述掩模版与所述夹具之间的粒子产生最小化。在一些实施例中，所述控制器被配置成以第一速度移动掩模版平台直到所述传感器检测到所述掩模版的所述位置为止，并且以第二速度移动所述掩模版平台，所述第一速度大于所述第二速度。

在一些实施例中，所述传感器是电容式的且包括平面电极。在一些实施例中，所述传感器是光学的且包括光源和光检测器。在一些实施例中，所述光源相对于所述夹具的所述前侧成锐角地指向所述掩模版的所述后侧。在一些实施例中，所述传感器被加压且包括气压计。在一些实施例中，所述传感器包括多个传感器阵列。

在一些实施例中，一种夹持设备包括夹具、传感器和控制器。