[发明专利]狭缝喷嘴和高硅钢带的制造方法

说明书

本发明的目的在于提供能够抑制轴向上的被吹出的气体流量的波动的具有双重管结构的狭缝喷嘴。另外，本发明的目的在于提供能够稳定地制造板宽方向上的Si浓度的波动小的高硅钢带的方法。本发明的狭缝喷嘴10具有双重管结构，在从内管30的开放端到开放端侧的喷出口21的端部之间具备将内管30与外管20之间挡住的整流板40，仅在设置有整流板40的面上自穿过外管20的轴中心和喷出口21的宽度方向的中心的基准线L1起的中心角为27.5°以上且332.5°以下的整流板40的区域设置有开口部41。

技术领域

本发明涉及狭缝喷嘴和高硅钢带的制造方法。更详细而言，本发明涉及能够抑制轴向上的被吹出的气体流量的波动的具有双重管结构的狭缝喷嘴和使用了该狭缝喷嘴的高硅钢带的制造方法。

背景技术

作为工业上制造Si含量为4质量％以上的高硅钢带的方法，已知有渗硅处理法。该制造方法是如下方法：在高温下对Si浓度小于4质量％的薄钢带喷吹含有四氯化硅(SiCl₄)的处理气体而使Si渗透到钢带中，并且通过进行热处理而使渗透到钢带表面的Si在板厚方向上扩散，从而连续地制造高硅钢带。

作为喷吹处理气体的方法，已知有如下方法：在渗硅处理炉内，在钢带的表面侧和背面侧分别配置具有处理气体的喷出口(狭缝)的狭缝喷嘴，从气体的喷出口向钢带喷吹处理气体(例如，参见专利文献1)。

另外，作为狭缝喷嘴10，已知有如图10的剖视图所示具有外管20与内管30的双重管结构的喷嘴，所述外管20具有处理气体的喷出口(狭缝)21，所述内管30从一端侧供给处理气体且另一端侧在外管20内部开放(例如，参见专利文献2)。

如图10所示，在使用这样的狭缝喷嘴10向钢带喷吹处理气体的情况下，越远离气体的供给口31侧，则处理气体的流量越多。因此，在该方法中，由于从狭缝喷嘴吹出的处理气体的流量的波动，导致钢带的板宽方向上的Si浓度变得不均匀。由此，存在产生因晶格常数差引起的板形状不良、磁特性的不均这样的问题。

为了解决这样的问题，已知有如下高硅钢带的制造方法：如图11所示，从在炉长度方向上相邻的狭缝喷嘴10中交替地不同的端部侧对钢带11供给处理气体，由此能够抑制板宽方向上的Si浓度的波动(例如，参见专利文献2和3)。

但是，在上述专利文献2和3的制造方法中，也不能充分地抑制高硅钢带的板宽方向上的Si浓度的波动。因此，期望与现有的狭缝喷嘴相比能够抑制轴向上的被吹出的气体流量的波动的具有双重管结构的狭缝喷嘴。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭62-227078号公报

专利文献2：日本特开平8-176793号公报

专利文献3：日本特开平5-9704号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供能够抑制轴向上的被吹出的气体流量的波动的具有双重管结构的狭缝喷嘴。另外，提供能够稳定地制造板宽方向上的Si浓度的波动小的高硅钢带的方法。

用于解决问题的方法

本发明人为了解决上述问题，在对上述问题的原因等进行研究的过程中发现，通过在从双重管结构内的内管的开放端到处理气体的喷出口的端部之间设置规定的整流板，能够抑制轴向上的被吹出的气体流量的波动，从而完成了本发明。

用于解决上述问题的本发明的主旨如下所述。