[发明专利]挥发抑制部件及其制造方法

说明书

本发明的目的是提供一种不易发生涂层剥离及会成为氧气侵入路径的龟裂扩大的挥发抑制部件、及一种改善了生产性的挥发抑制部件的制造方法。本发明的挥发抑制部件包括金属系基材和叠层膜，所述叠层膜至少包括形成在该金属系基材的部分表面或整个表面上的第1层及形成在该第1层上的第2层，所述第1层是所述金属系基材与所述第2层的密接层，所述第2层是所述第1层的保护层。

技术领域

本发明涉及一种挥发抑制部件及其制造方法，例如涉及一种具有不易发生涂层剥离及会成为氧气侵入路径的龟裂扩大的叠层膜的挥发抑制部件、及一种改善生产性的挥发抑制部件的制造方法。

背景技术

以往在制造液晶显示器用玻璃或光学玻璃等高品质玻璃、或者氧化物单晶或卤化物单晶等各种单晶时，在1200℃以上的高温区域内进行制造。在这些制造中所使用的耐热性部件通常由金属或氧化物形成。

在耐热性部件由金属形成的情况下，在高温区域内存在氧气的氛围下，所述金属会被氧化，强度会因氧化劣化及氧化挥发而下降，从而导致制品寿命变短。

为了抑制防止挥发，提出通过熔射在包含铂族金属的高温装置的外表面形成包含稳定氧化锆的涂层的方法(例如，参考专利文献1)。此处，涂层的厚度为50～500μm。

另外，提出了如下抑制防止挥发的方法，即，涂布含有氧化物的胶体粒子的胶体溶液并进行干燥及焙烧，通过这些工序在耐热性部件基体的表面形成阻氧膜，由此来抑制防止挥发(例如，参照专利文献2)。此处，阻氧膜的厚度为20～800nm。

进而在半导体领域中，提出了形成氧化钇熔射膜和物理气相沉积法(PVD)膜作为耐蚀膜以防止腐蚀的方法(例如，参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-132071号公报

专利文献2：日本专利特开2015-21144号公报

专利文献3：日本专利特开2005-240171号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，专利文献1中记载的方法存在如下问题：在升温、降温的循环中，因相当于耐热性部件的高温装置的外表面的金属部分与涂层的稳定氧化锆的热膨胀率存在差异，所以会导致局部发生涂层剥离及龟裂。对此，虽可通过利用喷砂、清洗及化学处理等表面处理来改善高温装置外表面与涂层的固着强度来解决产生剥离的问题，但目前还没有防止龟裂产生的方法。氧气会因龟裂到达高温装置的外表面，由此导致形成高温装置的金属发生氧化劣化及氧化挥发，作为阻氧层的效果变得不充分。

另外，在专利文献2中记载的方法中，由于阻氧膜是多孔质膜，因此氧气容易侵入，不足以抑制氧化挥发。进而，由于阻氧膜是多孔质膜，因此与基体的接触面积小，从而在基体的表面与阻氧膜之间容易产生龟裂，阻氧膜容易剥离。氧气会由于多孔性及剥离而到达基体的表面，从而导致形成基体表面的金属发生氧化劣化及氧化挥发，导致作为阻氧膜的效果变得不足。

为了解决所述课题，不得不制作极致密的膜。作为制作该膜的方法，专利文献3中记载有将熔射膜与PVD膜形成多层的技术，但制造成本高，在大型制品及特殊形状上制作膜困难，从制造的观点而言难以采用。如上所示，并没有解决防止涂层龟裂及剥离、防止伴随于该龟裂及剥离的氧化挥发、高生产性等所有课题的方法。

因此，本发明的目的在于提供一种不易发生涂层剥离及会成为氧气侵入路径的龟裂扩大的挥发抑制部件及改善了生产性的挥发抑制部件的制造方法。

[解决问题的技术手段]

本发明人等为了解决所述课题而进行了努力研究，结果发现，通过形成密接层和保护层的叠层膜，且在使用时使保护层防止来自密接层的龟裂扩大，可解决所述课题，从而完成本发明。