[发明专利]用于调整声波谐振器的频率响应的负荷谐振器

说明书

公开了一种声波滤波器装置(710)。该装置包括声波滤波器元件(100)以及耦合到声波滤波器元件的第一谐振器(702)和第二谐振器(712)。声波滤波器元件包括位于压电层(110)的顶表面上的叉指式的输入电极和输出电极以及在压电层的底表面上的反电极。第一谐振器和第二谐振器中的每个包括在压电层的顶表面上的谐振器电极(732，734)以及在压电层的底表面上的谐振器反电极。第一谐振器(702)在第一频率处具有谐振器阻抗中的第一陷波。第二谐振器(712)包括在第二谐振器电极(734)上的第一质量负荷层(708)，使得第二谐振器在不同于第一频率的第二频率处具有谐振器阻抗中的第二陷波。

技术领域

本说明书涉及薄膜射频声波滤波器。

背景技术

基于微声学和薄膜技术的诸如谐振器和滤波器之类的射频(“RF”)部件被广泛用于诸如移动电话、无线网络、卫星定位等之类的无线电应用中。它们的相对于其集总元件、陶瓷和电磁对应物的优点包括小尺寸和批量生产能力。

发明内容

本说明书描述了带通横向体声波(“LBAW”)滤波器的技术。更具体地，本公开提供了抑制LBAW滤波器中的边带并改善LBAW滤波器的带通滤波器特性的技术。

LBAW可以用作带通滤波器。带通滤波器可以包括一个或多个不期望的(或寄生的)边带。本公开的实现方式提供了通过添加与LBAW并联的一个或多个声谐振器来抑制不期望边带的技术。

LBAW滤波器由夹在两反电极之间的压电层形成。每对中的一个电极位于压电层的顶表面上，并形成LBAW的输入或输出。输入电极和输出电极通过间隙分离。每对还具有位于压电层的底表面上的反电极。通过跨输入谐振器处的压电层施加交流电压，在输入电极下方的压电层中形成机械共振。压电层的厚度和电极之间的间隙可以被设计为使得该机械共振跨间隙耦合到输出谐振器。出现这种耦合的频率范围决定了LBAW滤波器可实现的带宽(或通带的宽度)。

以上和其它实施例均可以可选地包括以下特征(单独或组合)中的一个或多个。

通常，本说明书中描述的主题的一个创新方面可以在包括声波滤波器元件、第一谐振器和第二谐振器的声波滤波器装置中实施。第一谐振器和第二谐振器耦合到声波滤波器元件。声波滤波器元件包括位于压电层的顶表面上的叉指式的输入电极和输出电极以及在压电层的底表面上的反电极。第一谐振器包括在压电层的顶表面上的第一谐振器电极。第一谐振器还包括在压电层的底表面上的第一谐振器反电极。第一谐振器在第一频率处具有谐振器阻抗中的第一陷波(notch)。第二谐振器包括在压电层的顶表面上的第二谐振器电极以及在压电层的底表面上的第二谐振器反电极。第二谐振器还包括在第二谐振器电极上的第一质量负荷层，使得第二谐振器在不同于第一频率的第二频率处具有谐振器阻抗中的第二陷波。

第一频率和第二频率可以在声波滤波器元件的谐振器阻抗的边带内。在一些示例中，第一频率与第二频率可以相差至少3％。

第一谐振器电极可以与输入电极电耦合，并且第二谐振器电极与输出电极电耦合。

第一谐振器电极可以与输入电极或输出电极电耦合，并且第二谐振器电极与第一谐振器电极电耦合。在一些实施例中，第一谐振器电极具有面对声波滤波器元件的第一边缘，第一谐振器电极具有在第一谐振器电极的更远离声波滤波器元件的一侧上的第二边缘以及连接第一边缘和第二边缘的第三边缘。在一些示例中，第二谐振器电极与第一谐振器电极的第二边缘相邻地设置。在一些示例中，第二谐振器电极与第一谐振器电极的第三边缘相邻地设置。在一些实施例中，第一谐振器电极与第二谐振器电极通过共享公共边缘而电耦合。在一些实施例中，第一谐振器电极与第二谐振器电极通过导线而电耦合，导线桥接第一谐振器电极和第二谐振器电极之间的间隙。