[发明专利]用于调整声波谐振器的频率响应的负荷谐振器有效
申请号: | 201980058209.4 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN112673568B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 塔帕尼·马克肯;马克库·伊利拉米;图奥马斯·彭萨拉;詹姆斯·德克尔 | 申请(专利权)人: | 芬兰VTT技术研究中心有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/56 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 调整 声波 谐振器 频率响应 负荷 | ||
1.一种声波滤波器装置,包括:
声波滤波器元件,所述声波滤波器元件包括位于压电层的顶表面上的叉指式的输入电极和输出电极以及在所述压电层的底表面上的反电极;
第一谐振器,所述第一谐振器耦合到所述声波滤波器元件并且包括在所述压电层的所述顶表面上的第一谐振器电极以及在所述压电层的所述底表面上的第一谐振器反电极,所述第一谐振器在第一谐振频率处具有谐振器阻抗中的第一陷波;以及
第二谐振器,所述第二谐振器耦合到所述声波滤波器元件并且包括在所述压电层的所述顶表面上的第二谐振器电极和在所述压电层的所述底表面上的第二谐振器反电极,其中,所述第二谐振器负荷有第一质量负荷层,使得所述第二谐振器在与所述第一谐振频率不同的第二谐振频率处具有谐振器阻抗中的第二陷波,
其中,所述声波滤波器元件的所述反电极、所述第一谐振器反电极以及所述第二谐振器反电极是由连续跨越所述声波滤波器元件、所述第一谐振器以及所述第二谐振器的公共反电极提供的。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一谐振频率和所述第二谐振频率在所述声波滤波器元件的谐振器阻抗的边带内。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一谐振频率与所述第二谐振频率相差至少3%。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一谐振器电极电耦合到所述输入电极,并且所述第二谐振器电极电耦合到所述输出电极。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一谐振器电极电耦合到所述输入电极或所述输出电极,并且所述第二谐振器电极电耦合到所述第一谐振器电极。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一谐振器电极具有面对所述声波滤波器元件的第一边缘,所述第一谐振器电极具有在所述第一谐振器电极的更远离所述声波滤波器元件的一侧上的第二边缘以及连接所述第一边缘和所述第二边缘的第三边缘。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第二谐振器电极与所述第一谐振器电极的所述第二边缘相邻地设置。
8.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第二谐振器电极与所述第一谐振器电极的所述第三边缘相邻地设置。
9.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一谐振器电极与所述第二谐振器电极通过共享公共边缘来电耦合。
10.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一谐振器电极和所述第二谐振器电极通过导线来电耦合,所述导线桥接所述第一谐振器电极和所述第二谐振器电极之间的间隙。
11.根据权利要求1所述的装置,包括耦合到所述声波滤波器元件的第三谐振器,所述第三谐振器包括在所述压电层的所述顶表面上的第三谐振器电极、在所述压电层的所述底表面上的第三谐振器反电极、在所述第三谐振器电极上的所述第一质量负荷层以及在所述第三谐振器电极上的第二质量负荷层,使得所述第三谐振器在与所述第一谐振频率和所述第二谐振频率不同的第三频率处具有谐振器阻抗中的第三陷波。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第二质量负荷层布置在所述第一质量负荷层上。
13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述第一质量负荷层包括氧化硅层。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述第二质量负荷层包括氮化硅层。
15.根据权利要求11所述的装置,包括耦合到所述声波滤波器元件的第四谐振器,所述第四谐振器包括在所述压电层的所述顶表面上的第四谐振器以及在所述压电层的所述底表面上的第四谐振器反电极。
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