[发明专利]匹配光瞳确定

说明书

本文中所描述的是一种用于减少设备性能变化的方法。所述方法包括：获得(i)参考设备(例如参考扫描器)的参考性能(例如CD)、(ii)从被选择用以再现所述参考性能的设备(例如，待匹配的扫描器)的多个光瞳琢面反射镜的多个自由度中所选择的一组初始引导自由度、以及(iii)与所述图案化过程的基于所述一组初始引导自由度来指示所述设备的性能的一个或更多个参数有关的曝光数据(例如CD、重叠、聚焦等)；和基于所述一组初始引导自由度来确定所述设备的匹配光瞳、和所述曝光数据，使得所述匹配光瞳减少所述设备的性能与所述参考性能之间的差异。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月24日提交的欧洲申请18190862.5的优先权，所述申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本公开涉及改进器件制造过程的性能的技术。所述技术可以与光刻设备或量测设备结合使用。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情形下，替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生与IC的单层对应的电路图案，并且这种图案可以被成像至具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至每个目标部分上来照射所述目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由束对图案进行扫描的同时平行于或反向平行于这种方向同步地扫描衬底来照射每个目标部分。

在将电路图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可以经历各种工序，诸如涂底漆、抗蚀剂涂覆和软焙烤。在曝光之后，衬底可能经受其它过程，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤，和转印后的电路图案的测量/检查。工序的这种阵列被用作制造例如IC的装置的单个层的基础。衬底随后可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子植入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有过程都预期最终完成所述器件的单个层。如果在器件中需要若干层，则针对每个层重复整个工序或其变型。最终，在衬底上的每个目标部分中将存在器件。随后通过诸如切块或锯切之类的技术使这些器件彼此分离，由此可以将单独的器件安装在载体上、连接至针脚，等等。

因而，制造诸如半导体器件之类的器件通常涉及使用一定数目的制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子植入来制造和处理这些层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，并且随后将所述器件分离成单独的器件。这种器件制造过程可以被视为图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置进行图案化步骤，诸如光学光刻和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转印至衬底，并且图案化过程通常但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备而使用图案进行蚀刻，等等。

发明内容

根据实施例，提供一种用于减少设备性能变化的方法。所述方法包括：获得(i)参考设备的参考性能、(ii)从被选择用以再现所述参考性能的设备的多个光瞳琢面反射镜的多个自由度中所选择的一组初始引导自由度、以及(iii)与所述图案化过程的基于所述一组初始引导自由度来指示所述设备的性能的一个或更多个参数有关的曝光数据；和由计算机系统基于所述一组初始引导自由度和所述曝光数据来确定所述设备的匹配光瞳，使得所述匹配光瞳减少所述设备的性能与所述参考性能之间的差异。

在实施例中，所述匹配光瞳是与所述一组初始引导自由度相对应的所述多个光瞳琢面反射镜的子集和/或整个集合。

在实施例中，确定所述匹配光瞳是迭代过程，迭代包括：基于所述设备的性能与所述参考性能之间的差异来改变所述多个光瞳琢面反射镜的所述一组引导自由度中的一个或更多个自由度；根据与改变后的光瞳琢面反射镜相对应的所述曝光数据来获得当前性能；和确定所述当前性能与所述参考性能之间的当前差异。