[发明专利]空间可变晶圆偏置功率系统

权利要求书

1.一种具有等离子体负载的功率系统，包括：

第一高电压脉冲发生器，其输出第一多个脉冲，所述第一多个脉冲具有大于大约1kV的第一电压、小于大约1μs的第一脉冲宽度和大于大约20kHz的第一脉冲重复频率；

第二高电压脉冲发生器，其输出第二多个脉冲，所述第二多个脉冲具有大于大约1kV的第二电压、小于大约1μs的第二脉冲宽度和大于大约20kHz的第二脉冲重复频率；

腔室；

第一电极，其部署在所述腔室内，并且与所述第一高电压脉冲发生器电耦合；和

第二电极，其与所述第一电极相邻且部署在所述腔室内，并且与所述第二高电压脉冲发生器电耦合。

2.如权利要求1所述的系统，其中，所述腔室包括晶圆和等离子体之一或二者，所述等离子体以10pF至1μF之间的电容与所述第一电极和所述第二电极以电容方式耦合。

3.如权利要求1所述的系统，其中，跨越所述晶圆的表面的电场在25％以内是均匀的。

4.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一电极与所述晶圆的对应部分之间的耦合电容大于100pF；并且，所述第二电极与所述晶圆对应部分之间的电容大于100pF。

5.如权利要求1所述的系统，其中，所述腔室包括等离子体，所述等离子体的离子加速到晶圆上。

6.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一高电压脉冲发生器产生大于大约1kV的所述第一电极上的电极电压，并且，所述第二高电压脉冲发生器产生大于大约1kV的所述第二电极上的电极电压。

7.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一电压相对于所述第二电压的比率小于2比1，或者反之亦然。

8.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一电极和所述第二电极之一或二者是轴向对称的。

9.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一电极具有第一平坦表面，并且所述第二电极具有第二平坦表面，以使得所述第二平坦表面是所述第一平坦表面和所述第二平坦表面的总和的25％。

10.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一高电压脉冲发生器和所述第二高电压脉冲发生器二者包括电阻输出级。

11.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一高电压脉冲发生器和所述第二高电压脉冲发生器二者包括能量恢复电路。

12.如权利要求1所述的系统，其中，独立于所述第二多个脉冲的参数控制所述第一多个脉冲的参数。

13.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一脉冲重复频率和所述第二脉冲重复频率相对于彼此是同相的。

14.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一电极与所述第二电极之间的耦合电容小于大约10nF。

15.如权利要求1所述的系统，其中：

所述第一电极包括：

盘形状，

中心轴，和

外径；以及

所述第二电极包括：

盘形状，其具有中心孔径，所述第一电极部署在所述中心孔径内；

中心轴，其与所述第一电极的所述中心轴对准，

孔径直径，和

外径。