[发明专利]绝缘电线有效
| 申请号： | 201980045985.0 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112384996B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 太田直树;黑泽优介 | 申请（专利权）人： | 日星电气株式会社 |
| 主分类号： | H01B7/295 | 分类号： | H01B7/295;C08K5/5419;C08L83/04;H01B3/44;H01B3/46;H01B7/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 电线 | ||
1.一种绝缘电线，在导体的周围包覆有含有有机聚硅氧烷的绝缘层，其特征在于，
残留于该绝缘层的沸点处于150℃～360℃的范围的挥发性有机化合物和准挥发性有机化合物的残留量合计为1500ppm以下，
该沸点处于150℃～360℃的范围的挥发性有机化合物和准挥发性有机化合物为D4～D10的低分子量环状硅氧烷。
2.如权利要求1所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的D4～D6的低分子量环状硅氧烷中的至少一个的残留量为1000ppm以下。
3.如权利要求1所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的D4～D8的低分子量环状硅氧烷的残留量合计为500ppm以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的D4～D10的低分子量环状硅氧烷的残留量合计为400ppm以下。
5.如权利要求1～3中任一项所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的D6的低分子量环状硅氧烷的残留量为100ppm以下。
6.如权利要求1～3中任一项所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的D8的低分子量环状硅氧烷的残留量为300ppm以下。
7.如权利要求1～3中任一项所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的D10的低分子量环状硅氧烷的残留量为200ppm以下。
8.如权利要求1～3中任一项所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的沸点处于150℃～360℃的范围的挥发性有机化合物混和准挥发性有机化合物的残留量合计与残留于该绝缘层的升华性物质的残留量合计之和为1500ppm以下。
9.如权利要求8所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于该绝缘层的该升华性物质的残留量合计为300ppm以下。
10.如权利要求8所述的绝缘电线，其特征在于，
该升华性物质为苯甲酸、或苯甲酸的衍生物。
11.一种绝缘电线，在导体的周围包覆有包含第一绝缘层和第二绝缘层的至少两个绝缘层，其特征在于，
该第一绝缘层和该第二绝缘层的至少一方含有有机聚硅氧烷，
残留于所有的该绝缘层的沸点处于150℃～360℃的范围的挥发性有机化合物和准挥发性有机化合物的残留量合计为1500ppm以下，
该沸点处于150℃～360℃的范围的挥发性有机化合物和准挥发性有机化合物为D4～D10的低分子量环状硅氧烷。
12.如权利要求11所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于含有该有机聚硅氧烷的该绝缘层的D4～D6的低分子量环状硅氧烷的残留量合计为100ppm以下。
13.如权利要求11所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于含有该有机聚硅氧烷的该绝缘层的D4～D8的低分子量环状硅氧烷的残留量合计为500ppm以下。
14.如权利要求11所述的绝缘电线，其特征在于，
残留于含有该有机聚硅氧烷的该绝缘层的D4～D10的低分子量环状硅氧烷的残留量合计为1000ppm以下。
15.如权利要求11～14中任一项所述的绝缘电线，其特征在于，
在该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，设置有相对于该沸点处于150℃～360℃的范围的挥发性有机化合物和准挥发性有机化合物显示低透过性的透过抑制层。
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