[发明专利]包含阴离子空位晶格的哈伯-博施催化剂在审

专利信息
申请号: 201980042416.0 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN112313008A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 陶善文;约翰·汉弗莱斯 申请(专利权)人: 华威大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J23/10;B01J23/83;B01J23/63;C01C1/04;C22C32/00;B01J35/00;B01J37/04;B01J37/08;B01J37/18;B01J35/10;B01J37/03;C01B21/082
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 张兵兵
地址: 英国考*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 阴离子 空位 晶格 催化剂
【权利要求书】:

1.用于催化哈伯-博施方法的组合物,所述组合物包含阴离子空位晶格和哈伯-博施催化剂。

2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述哈伯-博施催化剂包括选自由Fe、Co、Ni、Ru或它们的组合组成的组的金属化合物。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物,其中所述组合物被配置用于催化哈伯-博施方法。

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述阴离子空位晶格被掺杂以促进阴离子空位。

5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述阴离子空位晶格是氮氧化物。

6.根据权利要求5所述的组合物,其中所述氮氧化物是根据式III的化合物:

CeaMbO2-XNY

(式III)

其中M是化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1;0X2;并且0Y≤X。

7.根据权利要求6所述的组合物,其中M是Sm和/或a是0.5至0.9。

8.根据权利要求6所述的组合物,其中(i)M是Pr或La;和/或(ii)a是0.2至0.6。

9.根据权利要求5所述的组合物,其中所述氮氧化物是根据式V或VI的化合物:

ZraMbO2-XNY

(式V)

其中M是钛;和/或铈;和/或化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1;0X2;并且0Y≤X

TiaMbO2-XNY

(式VI)

其中M是锆;和/或铈;和/或化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1;0X2;并且0Y≤X。

10.根据权利要求4所述的组合物,其中所述阴离子空位晶格是氧空位晶格,并且所述氧空位晶格包括掺杂的CeO2、掺杂的ZrO2、掺杂的TiO2、掺杂的BaZrO3或它们的组合。

11.根据权利要求10所述的组合物,其中所述氧空位晶格是钇稳定的氧化锆(YSZ)。

12.根据权利要求10所述的组合物,其中所述氧空位晶格为根据式II的化合物;

CeaMbO2-δ

(式II)

其中,M是化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1。

13.根据权利要求12所述的组合物,其中(i)“a”和“b”各自独立地在0.1至0.8的范围内和/或(ii)M是Sm、Pr、La、Gd或它们的组合。

14.根据权利要求13所述的组合物,其中所述氧空位晶格包含Ce0.8Sm0.2O2-δ或Ce0.5Sm0.5O2-δ

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