[发明专利]包含阴离子空位晶格的哈伯-博施催化剂在审
申请号: | 201980042416.0 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN112313008A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 陶善文;约翰·汉弗莱斯 | 申请(专利权)人: | 华威大学 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J23/10;B01J23/83;B01J23/63;C01C1/04;C22C32/00;B01J35/00;B01J37/04;B01J37/08;B01J37/18;B01J35/10;B01J37/03;C01B21/082 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 张兵兵 |
地址: | 英国考*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 阴离子 空位 晶格 催化剂 | ||
1.用于催化哈伯-博施方法的组合物,所述组合物包含阴离子空位晶格和哈伯-博施催化剂。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述哈伯-博施催化剂包括选自由Fe、Co、Ni、Ru或它们的组合组成的组的金属化合物。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物,其中所述组合物被配置用于催化哈伯-博施方法。
4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述阴离子空位晶格被掺杂以促进阴离子空位。
5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述阴离子空位晶格是氮氧化物。
6.根据权利要求5所述的组合物,其中所述氮氧化物是根据式III的化合物:
CeaMbO2-XNY
(式III)
其中M是化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1;0X2;并且0Y≤X。
7.根据权利要求6所述的组合物,其中M是Sm和/或a是0.5至0.9。
8.根据权利要求6所述的组合物,其中(i)M是Pr或La;和/或(ii)a是0.2至0.6。
9.根据权利要求5所述的组合物,其中所述氮氧化物是根据式V或VI的化合物:
ZraMbO2-XNY
(式V)
其中M是钛;和/或铈;和/或化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1;0X2;并且0Y≤X
TiaMbO2-XNY
(式VI)
其中M是锆;和/或铈;和/或化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1;0X2;并且0Y≤X。
10.根据权利要求4所述的组合物,其中所述阴离子空位晶格是氧空位晶格,并且所述氧空位晶格包括掺杂的CeO2、掺杂的ZrO2、掺杂的TiO2、掺杂的BaZrO3或它们的组合。
11.根据权利要求10所述的组合物,其中所述氧空位晶格是钇稳定的氧化锆(YSZ)。
12.根据权利要求10所述的组合物,其中所述氧空位晶格为根据式II的化合物;
CeaMbO2-δ
(式II)
其中,M是化合价小于4的一种或多种元素,“a”和“b”独立地在0.05至0.95的范围内,前提是“a”和“b”加起来等于1。
13.根据权利要求12所述的组合物,其中(i)“a”和“b”各自独立地在0.1至0.8的范围内和/或(ii)M是Sm、Pr、La、Gd或它们的组合。
14.根据权利要求13所述的组合物,其中所述氧空位晶格包含Ce0.8Sm0.2O2-δ或Ce0.5Sm0.5O2-δ。
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