[发明专利]存储器中的感测操作

说明书

本公开包含与存储器中的感测操作有关的设备及方法。例示性设备可包含：存储器单元阵列；及控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以基于与第一存储器单元相关联的第一输入以及与第二存储器单元相关联的第二输入及第三输入来感测所述第一存储器单元。

技术领域

本公开大体上涉及存储器装置，且更特定来说，本公开涉及用于存储器中的感测操作的设备及方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体、集成电路。存在包含易失性和非易失性存储器的许多不同类型存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过在断电时保存所存储的数据来提供持久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM))等等。

存储器也用作各种电子应用的易失性及非易失性数据存储器。非易失性存储器可用于(例如)个人计算机、便携式存储棒(memory stick)、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器及其它电子装置中。存储器单元可布置成阵列，其中阵列用于存储器装置中。

存储器可为用于计算装置中的存储器系统的部分。存储器系统可包含易失性存储器(例如(举例来说)DRAM)及/或非易失性存储器(例如(举例来说)快闪存储器、FeRAM或RRAM)。

附图说明

图1是根据本公开的若干实施例的呈包含存储器装置的计算系统的形式的设备的框图。

图2是根据本公开的若干实施例的计算系统中的存储器装置的存储器库(bank)的多个区段的框图。

图3是说明根据本公开的若干实施例的存储器装置的存储器库中的存储器单元的区段及群组的示意图。

图4是说明根据本公开的若干实施例的存储器单元群组的示意图。

图5说明根据本公开的若干实施例的用于感测存储器单元的感测放大器。

图6说明根据本公开的若干实施例的用于感测存储器单元的感测放大器。

具体实施方式

本公开包含与存储器中的感测操作有关的设备及方法。例示性设备可包含：存储器单元阵列；及控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以基于与第一存储器单元相关联的第一输入及与第二存储器单元相关联的第二输入及第三输入来感测所述第一存储器单元。

在本公开的一或多个实施例中，可通过将对应于存储器单元的电压电势的信号及对应于另一存储器单元的互补电压电势的信号施加到与所述存储器单元相关联的感测电路来感测所述存储器单元。所述另一存储器单元可为使用存储在不同存储元件(例如所述存储器单元的电容器)中的两个互补电压电势所编程的存储器单元(例如，双存取装置/双存储元件存储器单元，例如2晶体管2电容器(2T2C)存储器单元)。所述感测电路经配置以平均化所述两个互补电压电势且比较所述平均值与所感测的所述存储器单元的电压电势。所述电压电势的平均值可为用于感测存储器单元的参考电压。