[发明专利]用于高温应用的能量存储设备

权利要求书

1.一种设备，包括集电器元件，每个所述集电器元件支撑碳质基体，所述碳质基体由赝电容材料改性或掺杂，并且与非水性电解质组合物接触。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述非水性电解质组合物包括在选自高沸腾温度溶剂和离子液体的液体介质中的阳离子和阴离子。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述非水性电解质组合物包括一种或多种选自有机盐类和无机盐类的盐。

4.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述非水性电解质组合物包括至少一种季铵盐。

5.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述非水性电解质组合物包括至少一种选自四丁基铵、1-乙基3-甲基咪唑鎓、1-丁基-3甲基咪唑鎓、1-(3-氰丙基)-3-甲基咪唑鎓、1,2-二甲基-3-丙基咪唑鎓、1,3-双(3-氰丙基)咪唑鎓、1,3-二乙氧基咪唑鎓、1-丁基-1-甲基哌啶鎓、1-丁基-2,3-二甲基咪唑鎓、1-丁基-4-甲基吡啶鎓、1-丁基吡啶鎓、1-癸基-3-甲基咪唑鎓、3-甲基-1-丙基吡啶鎓的阳离子。

6.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述非水性电解质组合物包括至少一种选自乙基硫酸盐、甲基硫酸盐、硫氰酸盐、乙酸盐、氯化物、甲磺酸盐、四氯铝酸盐、四氟硼酸盐、六氟磷酸盐、三氟甲磺酸盐、双(五氟乙磺酸盐)酰亚胺、三氟(三氟甲基)硼酸盐、双(三氟甲磺酸盐)酰亚胺、三(三氟甲3磺酸盐)甲基化物、二氰胺的阴离子。

7.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述非水性电解质组合物包括以下中的至少一种：甘油、乙二醇、二乙二醇、二乙二醇二甲醚(二甘醇二甲醚)、碳酸亚丙酯、六甲基磷酰胺(HMPA)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)、六甲基磷三酰胺(HMPT)。

8.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述碳质基体由所述赝电容材料通过选自电沉积、化学气相沉积(CVD)、溅射、原子层沉积的方法改性或掺杂。

9.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述碳质基体由金属硫属元素化物改性或掺杂。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述碳质基体由金属氧化物改性或掺杂。

11.根据前述权利要求任一项所述的设备，其中所述赝电容材料包括过渡金属。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述赝电容材料包括至少一种过渡金属二硫属元素化物，和任选的至少一种过渡金属氧化物。