[发明专利]多孔基质中的核自旋超极化

权利要求书

1.一种增强目标分子的核自旋极化的方法，该方法包含：

提供超极化的源材料；

将源材料和目标分子转移至多孔基质中，所述多孔基质具有尺寸明显不同的凹槽，第一组凹槽用于储存源材料且在任意方向上的平均直径为2-5nm，第二组凹槽——其比第一组的凹槽大——用作将源材料和目标分子容纳在一起的腔室，与此同时将超极化从源材料转移至目标分子，第二组凹槽的平均直径小于20nm；

在外部压力下将源材料和目标分子限域于基质的凹槽，持续预定的时间段；和

从多孔基质中移出目标分子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述源材料包含仲氢。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述外部压力在所述预定的时间段内基本恒定。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述外部压力在高值和低值之间调节。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述外部压力以循环方式变化。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述多孔基质包含D4R-聚硅氧烷共聚物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多孔基质包含polyoligosiloxysilicone 2号(PSS-2)。

8.用于增强目标分子的核自旋极化的磁共振增强系统，其包含：

超极化的源材料；

多孔基质，将源材料与目标分子一起转移至所述多孔基质中，所述多孔基质具有尺寸明显不同的凹槽，第一组凹槽用于储存源材料且在任意方向上的平均直径为2-5nm，第二组凹槽——其比第一组的凹槽大——用作将源材料和目标分子容纳在一起的腔室，与此同时将超极化从源材料转移至目标分子，第二组凹槽的平均直径小于20nm；和

压力源，其提供外部压力，该外部压力迫使源材料和目标分子共限域于在基质的凹槽中，持续预定的时间段，然后从所述多孔基质中移出目标分子。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述源材料包含仲氢。

10.根据权利要求8或9所述的系统，其中所述压力源在所述预定的时间段内施用基本恒定的压力。

11.根据权利要求8或9所述的系统，其中所述压力源在高值和低值之间调节所述外部压力。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述压力源以循环方式改变所述外部压力。

13.根据权利要求8或9所述的系统，其中所述多孔基质包含D4R-聚硅氧烷共聚物。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述多孔基质包含polyoligosiloxysilicone 2号(PSS-2)。