[发明专利]包括静电夹具的装置和用于操作该装置的方法

说明书

一种装置包括用于夹持组件的静电夹具和用于邻近静电夹具生成自由电荷的机构。用于生成自由电荷的机构被配置为在从静电夹具的第一激发状态到静电夹具的第二激发状态的转变期间邻近静电夹具生成自由电荷。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月12日提交的EP申请18166955.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种包括静电夹具的装置及其操作方法。更具体地但非排他性地，该装置可以包括光刻工具，静电夹具被配置为在光刻图案化期间夹持诸如图案形成装置等组件。

背景技术

光刻装置是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将在图案形成装置(例如，掩模或掩模版)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4-20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。

光刻装置通常可以使用高压静电夹具，以便例如在图案形成操作期间夹持图案形成装置。静电夹具和图案形成装置通常被保持在低压富氢环境中。该环境是非导电的。因此，应当理解，电荷可以累积在电介质表面或不接地的表面上。例如，在操作过程中，电荷可能会通过接触部分(例如，掩模夹具)或通过气体流动期间的粒子碰撞而积聚在电介质表面或不接地的表面上。

还应当理解，由于产生EUV引起的氢等离子体，EUV辐射可能导致富氢环境变得导电。在EUV引起的氢等离子体中生成的自由电荷可能被静电夹具生成的电场吸引(或排斥)。另一方面，在没有EUV引起的等离子体的情况下，或者在与任何EUV引起的等离子体相距较远或屏蔽良好的区域中，电荷可能会积聚在电介质表面或不接地的表面上，并且在除去任何电场之后可能会继续存在。

除了电荷的累积，在静电夹具的部件与其他系统组件之间还可能生成非常强的静电场(例如，在～1-100kV/cm的范围内)。特别地，施加到静电夹具的电极的高电压导致附近的导体(例如，可能存在于掩模的表面上的导电涂层)被极化。这样，特别是在尖锐特征(例如，导电掩模涂层的边缘)处，会产生强的静电场。施加到静电夹具电极的电压可以经常切换极性，以避免在静电夹具的绝缘内击穿。在这种转变期间，夹具周围的区域中的静电场可能会迅速变化。

发明内容

本发明的目的是消除或减轻与光刻装置内的电荷积聚和/或光刻装置内的静电场的生成和切换相关联的一个或多个问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种装置，该装置包括用于夹持组件的静电夹具和用于邻近静电夹具生成自由电荷的机构。用于生成自由电荷的机构被配置为：在从静电夹具的第一激发状态到静电夹具的第二激发状态的转变期间，邻近静电夹具生成自由电荷。

通过在重新极化期间在静电夹具周围提供自由电荷(例如，经由EUV引起的H₂等离子体)，将在夹具和任何被夹持的图案形成装置附近提供相对导电的介质。这样，当夹具被重新极化时，大量的自由电荷将有效地屏蔽由夹具生成的任何外部场、特别是由夹具的延伸超出被夹持的图案形成装置的区域(例如，引线和触点)生成的任何外部场，从而减少了粒子从夹具的这些区域的表面被释放的可能性。