[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 201980023692.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111937103A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F7/06;B22F9/08;B23K35/28;B23K35/30;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：
准备组成不同的多个R1－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R1为包含Nd和Pr中的至少一种的稀土元素，T为以Fe为主的过渡金属元素，可以包含Co；
准备含有65质量％以上97质量％以下的R2和3质量％以上35质量％以下的M且利用雾化法制作的R2－M合金粉末的工序，其中，R2为包含Nd和Pr中的至少一种的稀土元素，相对于全部R2，Dy和Tb的合计含量为50质量％以下，M为选自Ga、Cu、In、Al、Sn和Co中的至少1种；和
在所述多个R1－T－B系烧结磁体原材料之间配置所述R2－M合金粉末并以450℃以上1000℃以下的温度将所述多个R1－T－B系烧结磁体原材料接合的工序。
2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
相对于全部R2，Dy和Tb的合计含量为15质量％以下。
3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
R2必须包含Pr，M必须包含Ga。
4.如权利要求1～3中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
所述多个R1－T－B系烧结磁体原材料包含矫顽力相对高的第一R1－T－B系烧结磁体原材料和矫顽力相对低的第二R1－T－B系烧结磁体原材料。
5.如权利要求1～4中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
所述第一R1－T－B系烧结磁体原材料和第二R1－T－B系烧结磁体原材料中的至少一者具有2mm以下的厚度。
6.如权利要求1～5中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
所述第一R1－T－B系烧结磁体原材料和第二R1－T－B系烧结磁体原材料中的至少一者具有1mm以下的厚度。
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