[发明专利]制造用于射频器件的衬底的工艺

权利要求书

1.一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过经由电绝缘层将压电层(3)接合至载体衬底(1)来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：

-提供压电衬底(3)，其具有适于反射射频波的粗糙表面(30)，

-在压电衬底(3)的粗糙表面(30)上沉积介电层(4)，

-提供载体衬底(1)，

-在载体衬底上沉积光聚合性粘合剂层(2)，

-通过介电层(4)和粘合剂层(2)将压电衬底(3)结合至载体衬底(1)，从而形成组装的衬底(5)，

-用光束(6)照射组装的衬底(5)以使粘合剂层(2)聚合，所述粘合剂层(2)和介电层(4)一起形成电绝缘层。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述介电层(4)包括通过等离子体增强化学气相沉积而沉积在压电衬底(3)上的氧化硅层、氮化硅层、包含氮化硅和氧化硅的组合的层，和/或至少一个氧化硅层和一个氮化硅层的叠加。

3.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述介电层(4)是通过旋涂而沉积在压电衬底(3)上的玻璃层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，光聚合性粘合剂层(2)的厚度介于2μm至8μm之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，通过旋涂沉积光聚合性粘合剂层(2)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，结合步骤在介于20℃至50℃之间，优选介于20℃至30℃之间的温度下进行。

7.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，穿过压电衬底(3)施加光束(6)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，照射是脉冲照射。

9.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，光束(6)的波长介于320nm至365nm之间。

10.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，载体衬底(1)由热膨胀系数比制成压电衬底(3)的材料的热膨胀系数低的材料制成。

11.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，载体衬底(1)由硅、蓝宝石、或多晶氮化铝(AlN)、或砷化镓(GaAs)制成。

12.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，在粘合剂层(2)聚合之后，所述工艺还包括使压电衬底(3)变薄以将具有限定厚度的压电层(3)转移至载体衬底(1)的步骤。

13.根据权利要求12所述的工艺，其中，所述变薄步骤包括蚀刻和/或化学机械抛光。

14.根据权利要求12和13中任一项所述的工艺，在变薄步骤之后，所述工艺包括进行退火以使压电层平滑。

15.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，结合之后的每个步骤均在低于或等于300℃的温度下进行。

16.一种用于制造射频滤波器(10)的工艺，所述工艺包括：

-利用前述权利要求中任一项所述的工艺制造衬底(7)，

-在所述衬底的压电层的表面(31)上形成一对叉指电极(11、12)。

17.一种能够利用权利要求1至15中任一项所述的工艺获得的射频器件衬底(7)，其依次包括载体衬底(1)、电绝缘层(2、4)和压电层(3)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有适于反射射频波的粗糙表面(30)，所述电绝缘层从载体衬底(1)到压电层(3)依次包括经聚合的粘合剂层(2)和介电层(4)。

18.一种射频滤波器(10)，其包括根据权利要求17所述的衬底和在压电层(3)的表面(31)上延伸的一对叉指电极(11、12)。