[发明专利]抗体纯化

权利要求书

1.一种纯化抗体的方法，所述方法包括：

A)将加载缓冲液中的抗体制剂加载至羟基磷灰石(HA)树脂上，其中

所述抗体制剂包含：I)感兴趣的完整抗体和II)感兴趣的抗体的修剪形式，其中感兴趣的抗体的所述修剪形式为感兴趣的完整抗体的降解产物，并且其质量与感兴趣的完整抗体的质量相差小于10％；和

B)用包含离子的洗脱缓冲液从HA树脂洗脱感兴趣的完整抗体，其中所述洗脱缓冲液中离子的浓度在洗脱期间增加。

2.一种纯化双特异性抗体的方法，所述方法包括：

A)将加载缓冲液中的抗体制剂加载至羟基磷灰石(HA)树脂上，其中：

所述抗体制剂包含：I)感兴趣的完整双特异性抗体；和II)至少一种杂质物质，其中所述种杂质物质选自：a)感兴趣的双特异性抗体的修剪形式，其中所述感兴趣的双特异性抗体的所述修剪形式为所述感兴趣的完整双特异性抗体的降解产物，并且其质量与感兴趣的完整双特异性抗体的质量相差小于10％；b)第一亲本抗体，其中所述第一亲本抗体为具有与所述完整双特异性抗体的第一臂相同的抗原特异性的单特异性抗体；c)第二亲本抗体，其中所述第二亲本抗体为具有与所述完整双特异性抗体的第二臂相同的抗原特异性的单特异性抗体；和d)高分子质量物质(HMMS)；和

B)用包含离子的洗脱缓冲液从HA树脂洗脱所述感兴趣的完整双特异性抗体，其中所述洗脱缓冲液中离子的浓度在洗脱期间增加。

3.一种纯化双特异性抗体的方法，所述方法包括：

A)将加载缓冲液中的抗体制剂加载至羟基磷灰石(HA)树脂上，其中：

I)所述抗体制剂包含：a)感兴趣的完整双特异性抗体和b)所述感兴趣的双特异性抗体的修剪形式，其中所述感兴趣的抗体的所述修剪形式为所述感兴趣的完整双特异性抗体的降解产物，并且其质量与所述感兴趣的完整双特异性抗体的质量相差小于10％；和

II)所述抗体制剂中所述修剪的双特异性抗体的分子与所述完整双特异性抗体的分子的比率在至少1:50与不大于1:5之间；

B)用包含离子的洗脱缓冲液从所述HA树脂洗脱所述完整双特异性抗体，其中所述洗脱缓冲液中离子的浓度在洗脱期间增加，和任选地，

C)收集从所述HA树脂洗脱的经纯化的级分，其中所述经纯化的级分包含所述完整双特异性抗体。

4.权利要求1的方法，其中所述抗体为异源二聚体双特异性抗体。

5.权利要求1或2的方法，其进一步包括收集从所述HA树脂洗脱的经纯化的级分，其中所述经纯化的级分包含所述感兴趣的完整抗体，并且其中所述经纯化的级分包含以质量计至少95％、96％、97％、98％或99％的感兴趣的完整抗体。

6.权利要求3的方法，其中所述经纯化的级分包含所述完整双特异性抗体和所述修剪的双特异性抗体，此外，其中所述经纯化的级分中修剪的双特异性抗体分子与完整双特异性抗体分子的比率不大于1:100。

7.权利要求l的方法，其中所述感兴趣的抗体为抗-CD3抗体，并且其中所述抗体包含以下中的至少一种：i)包含如SEQ ID NO：1中所示氨基酸序列的VH区；ii)包含如SEQ ID NO：2中所示氨基酸序列的重链；iii)包含如SEQ ID NO：1中所示氨基酸序列的VH区和包含如SEQID NO：3中所示氨基酸序列的VL区；或iv)包含如SEQ ID NO：2中所示氨基酸序列的重链和包含如SEQ ID NO：4中所示氨基酸序列的轻链。

8.权利要求2-6中任一项的方法，其中所述双特异性抗体为：i)包含抗-BCMA臂和抗-CD3臂的抗-BCMA/抗-CD3双特异性抗体，或ii)包含抗-FLT3臂和抗-CD3臂的抗-FLT3/抗-CD3双特异性抗体。