[发明专利]在光刻设备中的原位颗粒移除的设备和方法

说明书

描述了用于减少静电卡盘(300)附近的颗粒的方法和系统，其中清洁掩模版或衬底(320)被固定到该卡盘，清洁掩模版或衬底的表面部分地缺少导电材料，使得来自卡盘的电场可以穿过以到达邻近该衬底的体积，从而将该体积中的颗粒(360)牵引至衬底的表面。施加到卡盘的电压可以具有交替的极性，以增强颗粒到表面的吸引。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年2月13日提交的美国临时专利申请62/629,862的优先权，该美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于从诸如卡盘(例如，静电卡盘)的夹具之类的支撑件附近移除微粒污染物的方法和系统，该卡盘用于保持光刻设备内部的诸如掩模版、掩模或晶片之类的装置。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至诸如半导体材料的晶片之类的衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在晶片的单个层上的电路图案。典型地通过成像至在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分。

为了缩短曝光波长并由此减小最小可印刷尺寸，使用波长在约5nm至约20nm范围内的电磁辐射，例如在约13nm至约14nm范围内的电磁辐射。这种辐射被称为极紫外(EUV)辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

可以使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，以及用于容纳等离子体的源收集器模块。例如，可以通过将激光束指向少量的燃料(诸如合适的燃料材料(例如锡)的微滴或合适的气体或蒸气流(诸如氙气或锂蒸汽流))来产生等离子体。所得到的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是镜面正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括被布置成提供真空环境以支撑等离子体的封闭结构或腔室。这种辐射系统通常被称为激光产生等离子体(LPP)源。在也可以使用激光器的替代系统中，可以由通过使用电子放电-放电产生等离子体(DPP)源形成的等离子体来产生辐射。一旦产生辐射，就使用图案形成装置对该辐射进行图案化，然后将该辐射传递至晶片的表面。

在光刻设备中使用静电卡盘(ESC)以例如将图案形成掩模版保持在扫描台上。掩模版颗粒污染(缺陷)是EUV技术中的关键的重要参数。为了缓解掩模版污染，通过所谓的冲洗来清洁掩模版平台附近的体积。冲洗涉及在掩模版区域中提供比正常气体流量更高的气体流量，以释放(去除)颗粒并从EUV系统中移除所述颗粒。冲洗的缺点在于其是相对缓慢的清洁过程，并且效率有限。

因此，需要一种更快、更有效的原位清洁技术。

发明内容

以下呈现了一个或更多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期的实施例的广泛综述，并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或更多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的前序。

根据一个方面，公开了一种系统，其中由静电卡盘产生的电场用于将颗粒吸引至牺牲清洁掩模版或改性后的衬底的前侧(暴露的侧)。该清洁衬底在掩模版背侧上仅具有部分导电涂层，以允许电场穿透到达掩模版前方的空间。通过结合或不结合EUV曝光的极性切换，带电颗粒可以被吸引至衬底的前侧。

根据另一方面，公开了一种设备，该设备包括适于支撑衬底的平台、和电压供应源，该电压供应源电连接到平台并且适于在电压供应源切换极性的模式下操作。平台可以包括静电卡盘。