[发明专利]能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法

权利要求书

1.一种离子植入系统，包括：

静电过滤器，用于向晶片递送离子束，所述静电过滤器包括：

壳体，具有靠近所述晶片的出口；以及

多个导电束光学器件，位于所述壳体内，所述多个导电束光学器件围绕离子束线排列，且所述多个导电束光学器件包括：

一组入口孔电极，靠近所述壳体的入口孔；

一组高能电极，沿着所述离子束线位于所述一组入口孔电极的下游；以及

一组接地电极，沿着所述离子束线位于所述一组高能电极的下游，其中所述一组高能电极被定位成比所述一组入口孔电极及所述一组接地电极更远离所述离子束线，其中所述一组高能电极中位于所述离子束线上方且与所述一组入口孔电极最靠近的第一高能电极被定位成比所述一组高能电极中的剩余高能电极更远离所述离子束线；以及

电气系统，与所述静电过滤器通信，所述电气系统能够操作以向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述多个导电束光学器件中的每一者并联连接以允许独立调整所述电压及所述电流。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括从所述壳体延伸的一组出口板，其中所述一组出口板平行于所述离子束的行进方向取向，且其中所述一组接地电极包括靠近所述出口的一组出口孔。

4.根据权利要求3所述的离子植入系统，其中所述一组出口孔在所述一组出口孔之间界定从所述晶片行进并通过所述出口的背溅射材料的最大包络，且其中所述一组高能电极相对于所述一组出口孔的位置防止所述背溅射材料的所述最大包络到达所述一组高能电极。

5.根据权利要求4所述的离子植入系统，其中所述一组出口孔中的第一对出口孔靠近所述一组出口板的下游端定位，且其中所述一组出口孔中的第二对出口孔靠近所述一组出口板的上游端定位。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中还包括一组端子电极，所述端子电极定位在所述一组入口孔电极与所述一组高能电极之间。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括一组继电器，所述一组继电器能够操作以使所述一组高能电极中的每一者在高压电源供应器与接地之间切换。

8.一种静电过滤器，用于向工件递送离子束，其中所述静电过滤器包括：

壳体，具有靠近所述工件的出口；以及

多个导电束光学器件，位于所述壳体内，所述多个导电束光学器件包括：

一组入口孔电极，靠近所述壳体的入口孔；

一组高能电极，沿着离子束线位于所述一组入口孔电极的下游；以及

一组接地电极，沿着所述离子束线位于所述一组高能电极的下游，其中所述一组高能电极被定位成比所述一组入口孔电极及所述一组接地电极更远离所述离子束线，其中所述一组高能电极中位于所述离子束线上方且与所述一组入口孔电极最靠近的第一高能电极被定位成比所述一组高能电极中的剩余高能电极更远离所述离子束线；以及

电气系统，与所述多个导电束光学器件通信，所述电气系统能够操作以独立地向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。

9.根据权利要求8所述的静电过滤器，还包括：

所述一组接地电极的一组出口孔，靠近所述出口定位；以及

一组出口板，从所述壳体延伸，其中所述一组出口板平行于所述离子束线取向，其中所述一组出口孔中的第一对出口孔靠近所述一组出口板的下游端定位，且其中所述一组出口孔中的第二对出口孔靠近所述一组出口板的上游端定位。

10.根据权利要求9所述的静电过滤器，其中所述一组出口孔在所述一组出口孔之间界定从所述工件行进并通过所述出口的背溅射材料的最大包络，且其中所述一组高能电极相对于所述一组出口孔的位置使背射溅射材料到达所述一组高能电极的量最小化。